一、氮化硅粉体的行星式球磨工艺研究（论文文献综述）
张俊宇[1]（2021）在《(Tb1-xLux)2O3磁光透明陶瓷的制备与性能研究》文中认为磁光材料作为磁光器件的关键组成部分,因其可以很好地消除光路中的反射光从而保证光源的稳定通畅,而被广泛地应用于激光、光通讯等领域。磁光材料的主要性能指标包括费尔德（Verdet）常数、热导率和光学透过率等。以稀土元素铽（Tb）形成的倍半氧化物三氧化二铽（Tb2O3）,其Verdet常数在可应用波段范围内比目前工业上常用的铽镓石榴石(Tb3Ga5O12,TGG)高3倍以上,是非常有潜力的磁光材料,然而,受限于Tb2O3的氧化行为及高温相变的影响,该材料的制备十分困难。基于此,本论文研究了Tb2O3在空气中的氧化脱氧反应和在高温下的相变过程,最终阐明了Tb2O3的氧化脱氧过程和高温相变所带来的影响。研究发现,在空气中加热升温至500℃时,Tb2O3被氧化为TbO1.81;随着温度进一步升高,先后发生两段脱氧反应;即TbO1.81在600℃时脱氧为TbO1.714,TbO1.714在988℃时脱氧为Tb2O3。值得注意的是氧化铽在室温下最稳定的物相为TbO1.81,并不是Tb2O3。所以,Tb2O3在室温下应密封保存,同时应避免在空气气氛下进行烧结。对于Tb2O3的高温相变,在无氧环境下将温度升至1600℃以上时,Tb2O3会发生由立方相向单斜相转化的高温相变,且该相变是可逆的;在降至室温过程中,Tb2O3又会由高温下的单斜相变回立方相从而导致材料完全开裂。所以要想制备Tb2O3透明陶瓷,首要考虑的就是如何抑制Tb2O3的高温相变。为了解决这一问题,本论文选择了Lu2O3作为Tb2O3的相变稳定剂,以(Tb1-xLux)2O3陶瓷为主要研究对象,采用真空预烧结合热等静压烧结的制备工艺,研究固溶不同含量的Lu2O3对(Tb1-xLux)2O3陶瓷致密化和显微结构的影响,并经过烧结工艺的优化,最终实现了不同组分的(Tb1-xLux)2O3陶瓷（x=0.1～0.75）的物相稳定和透明化制备,有效提高了陶瓷的热导率,获得了较高的Verdet常数。其中,双面抛光至3mm厚的(Tb0.5Lu0.5)2O3磁光陶瓷,在1064nm处的透过率为78.9%,在633nm处的透过率为78.1%,均比较接近(Tb0.5Lu0.5)2O3陶瓷的理论透过率;室温下的热导率为5.88W/m·K,略低于常见的铽铝石榴石（TAG）,高于之前报道的(Tb0.5Y0.5)2O3磁光陶瓷;在633nm处测得的Verdet常数为224.33rad/T·m,比TAG高30%,与(Tb0.5Y0.5)2O3陶瓷相当,具有潜在的应用价值。此外,研究了不同含量的ZrO2烧结助剂对Tb2O3陶瓷和(Tb0.5Lu0.5)2O3陶瓷相稳定的影响规律和透明化制备的作用。对于Tb2O3陶瓷而言,随着烧结温度提高至1700℃,为了抑制相变所添加的ZrO2含量应增加至1.5at%。但经过1600℃的热等静压烧结,抛光后的Tb2O3样品仍会呈现出明显的散射现象。通过偏光显微镜观察,发现样品内部存在非立方相。采用X射线衍射、元素分布测试、拉曼分析等手段,确认了这一非立方相为t-ZrO2。这说明热等静压烧结在一定程度上诱发了Tb2O3的高温相变,由于该相变可逆,相变之后局部的晶格重排导致了严重的晶格畸变,使部分ZrO2脱溶出来。这些内部不均匀的部分和夹杂物共同造成了严重的散射,导致陶瓷的透过率大幅下降。对于(Tb0.5Lu0.5)2O3陶瓷而言,固溶Lu2O3可以在一定程度上稳定Tb2O3的高温相变,但后续1600℃的热等静压处理仍会诱发该相变,必须要加入ZrO2加以抑制。但ZrO2抑制(Tb0.5Lu0.5)2O3陶瓷相变的作用效果受限于热等静压温度。一旦提高热等静压温度至1700℃,加入ZrO2的(Tb0.5Lu0.5)2O3陶瓷在偏光显微镜下仍会观察到局部的非立方相和应力裂纹,导致陶瓷的透过率明显下降。但与纯相Tb2O3不同的是,在(Tb0.5Lu0.5)2O3陶瓷中,由于Lu2O3的固溶作用,并没有出现ZrO2脱溶的现象。这说明在偏光显微镜下观察到的非立方相只可能是存在于样品内部某些区域、未充分变回立方相Tb2O3的残留相变产物。所以,为了避免这一情况,应在制备过程中严格控制热等静压烧结温度。此外,随着ZrO2添加量的增多,(Tb0.5Lu0.5)2O3陶瓷的热导率逐渐下降,对后续应用不利。最终,通过优化烧结工艺,掺杂0.75at%ZrO2的(Tb0.5Lu0.5)2O3陶瓷样品在1064nm处的透过率为80.2%,热导率为6.25 W/m·K,得到了明显的改善和提高。最后,研究了CeO2对Tb2O3陶瓷和(Tb0.5Lu0.5)2O3陶瓷的掺杂作用。发现CeO2虽不能稳定Tb2O3的高温相变,但却可以进入Tb2O3的晶格,并以Ce3+存在。对于(Tb0.5Lu0.5)2O3陶瓷而言,随着CeO2掺杂量的增加,(Tb0.5Lu0.5)2O3陶瓷样品烧结后的颜色逐渐变成深红色,晶粒尺寸也随之不断增大,热等静压烧结后的(Tb0.5Lu0.5)2O3透明陶瓷样品的透过率曲线大幅红移,Verdet常数也逐渐提高。这是因为样品中的Ce元素以Ce3+存在,导致了400nm～500nm波段的4f→5d的吸收转换,使样品呈现出不同的颜色。其中,掺杂1at%CeO2的(Tb0.5Lu0.5)2O3陶瓷样品的透过率曲线由不掺杂CeO2样品的360nm大幅红移至580nm,在633nm处的Verdet常数为241.36 rad·T-1·m-1,比不掺杂CeO2的样品高7.6%。进一步改善光学质量后,有望获得实际应用。
祁海,马冲先,张培志,郭方全,田云龙[2]（2020）在《原位微区分析标准样品制备技术的研究进展》文中研究说明对原位微区分析标准样品制备技术（熔融玻璃法、粉末压片法、压制烧结法、直接采用天然均匀矿物法及人工晶体合成法等）的研究进展进行了综述,分析了各种方法的优缺点并介绍了各自的应用领域,尤其是深空探索领域,并对陶瓷制备技术在微区分析标准样品研制中的应用前景进行了展望（引用文献53篇）。
郭昂[3]（2020）在《添加LiAlO2基助烧剂氮化硅陶瓷的低温致密化和制备工艺研究》文中研究说明氮化硅（Si3N4）陶瓷材料具有良好的耐磨耐蚀性、高的抗弯强度、良好的断裂韧性、极高的硬度等优异的力学性能且热导率较高,是一种应用前景极为广阔的结构陶瓷材料和功能陶瓷材料。Si3N4陶瓷烧结温度高、依赖压力烧结一直是制约其工业化生产的主要因素。选择合适的助烧剂能够有效降低Si3N4陶瓷烧结温度并提高其性能是解决工业化生产的措施之一。本文分别研究了单相LiAlO2助烧剂和LiAlO2-Y2O3复合助烧剂对Si3N4陶瓷烧结的影响,并对大尺寸Si3N4陶瓷制品的制备工艺进行探究。首先采用LiAlO2助烧剂制备致密Si3N4陶瓷,研究烧结温度为1650℃时LiAlO2含量和保温时间对Si3N4陶瓷致密化的影响。LiAlO2含量为12%时Si3N4陶瓷相对密度达到97.7%,β-Si3N4的转化率为67%,β-Si3N4晶粒的析出和生长情况最好。助烧剂含量过低或者过高对Si3N4陶瓷的相对密度和β-Si3N4晶粒的析出和生长都有不利影响。随着LiAlO2含量的增加α-Si3N4向β-Si3N4的转化率不断提高,LiAlO2含量为18%时β-Si3N4的转化率为81%。当保温时间超过4小时对Si3N4陶瓷的相对密度影响不大,但保温时间越长则β-Si3N4转化率越高且β-Si3N4晶粒尺寸越大。采用LiAlO2-Y2O3复合助烧剂,研究烧结温度和复合助烧剂配比对Si3N4陶瓷致密化的影响。LiAlO2-Y2O3可以进一步提高Si3N4陶瓷的相对密度至98.0%,β-Si3N4的转化率为72%。随着烧结温度的升高,α-Si3N4在1400℃-1500℃开始向β-Si3N4进行相转变但转变速率较低,当烧结温度高于1600℃时相转变速率加快。随着Y2O3相对含量的增多,Si3N4陶瓷的相对密度略有降低,但是α-Si3N4向β-Si3N4的相转变速率有明显的提升,Y2O3相对含量为8%时,β-Si3N4的转化率为91%,且能够观察到晶粒形貌良好的β-Si3N4晶粒。以优化的助烧剂配比和烧结工艺制备大尺寸Si3N4陶瓷制品,研究成型工艺对Si3N4陶瓷制品的影响,并对Si3N4陶瓷的使用性能进行测试分析。等静压造粒较机压造粒的颗粒粒度分布更均匀,球形度更好且组成造粒颗粒的小Si3N4颗粒之间的粘聚性更好,流动性有很大提升,具有更好的成型性。PVA含量为3%的生坯试样可加工性和成型性较PVA含量为1%和2%的生坯试样有很大提升,生坯密度更高。采用V型槽支撑烧结Si3N4陶瓷管能够极大改善水平放置烧结试样的椭圆截面和竖直放置烧结试样的象脚变形现象。制备的Si3N4陶瓷制品初始抗弯强度为580MPa,820℃时经三次热震试验后强度保持率为80.0%,在1200℃进行40小时氧化后质量变化率为0.20%,110℃、使用10%、15%、20%和25%的NaOH溶液侵蚀1h后试样质量变化率分别为0.06%、0.31%、0.46%和0.67%。
刘文勇[4]（2020）在《氮化硅陶瓷烧结微小变形研究》文中研究指明氮化硅（Si3N4）陶瓷具有优良的综合性能,已被应用于汽车、航空航天、电子电路等领域。随着科技的快速发展,对Si3N4陶瓷复杂结构与使用性能的要求日愈提高。目前有多种制备复杂形状Si3N4陶瓷素坯的方法,但仍需经过烧结才能获得高性能的Si3N4陶瓷。在无压烧结的过程中伴随着巨大的体积收缩变化,存在烧结收缩大、烧结易变形等问题。因此,本文采用陶瓷粉末压制工艺结合无压烧结技术,系统研究烧结助剂种类、含量、分布与坯体密度对Si3N4陶瓷致密度、收缩的影响;同时对实验使用设备真空气氛烧结炉进行温度场仿真,为制备高致密度、均匀收缩的Si3N4陶瓷提供可行方法。主要研究结论如下:为方便表征陶瓷试样烧结变形,引入收缩各向异性因子的概念。即AXY=X方向收缩率-Y方向收缩率。研究了三种助剂:氧化钇（Y2O3）-氧化铝（Al2O3）、二硅酸钇（Y2Si2O7）、Y2Si2O7-莫来石（MUL）对Si3N4陶瓷烧结致密度与收缩的影响。发现试样致密度均随温度的升高而增大;不同助剂试样对Si3N4陶瓷致密度的影响不同,但均能在液相共熔点附近快速致密化,最终在1800℃条件下制备的Y2O3-Al2O3-Si3N4、Y2Si2O7-MUL-Si3N4陶瓷致密度分别为97%、99.25%。此外,试样的线收缩率、体积收缩率均随温度的升高而增大;在不同温度段收缩量不同,但均在液相形成温度发生快速收缩。试样在长度与宽度方向收缩基本一致,均小于高度方向收缩,表现出收缩各向异性;且收缩各向异性因子AHL、AHD随温度的升高而增大。在同一烧结温度下,不同烧结助剂试样收缩各向异性因子AHL、AHD不同;1700℃制备的Y2Si2O7-MUL-Si3N4陶瓷收缩因子AHL为0.53%。为获得高致密度、低收缩各向异性的Si3N4陶瓷,应选择低液相共熔点温度的烧结助剂。研究了助剂Y2SM（自制）含量对Si3N4陶瓷烧结致密度与收缩的影响。发现不添加烧结助剂时,试样无明显的致密度与收缩变化。同一含量助剂的试样,温度越高致密度越高;高含量的烧结助剂在低温阶段可获得较高致密度,但在高温阶段烧结助剂含量对致密度影响较小,且助剂含量在10wt%时获得最高致密度。添加烧结助剂的试样存在烧结收缩各向异性;相同含量助剂的试样烧结温度越高收缩与各向异性因子AHL、AHD越大;相同温度下,烧结助剂含量越高,试样收缩各向异性因子AHL、AHD越大。为获得高致密度、低收缩各向异性的Si3N4陶瓷,烧结助剂的最佳含量为10wt%。研究了坯体密度与助剂分布对Y2O3-Al2O3-Si3N4陶瓷烧结致密度与收缩的影响。发现1600℃之前,试样坯体密度越高、致密度越高;而在1600℃之后,坯体密度对最终的致密度影响较小,试样最终致密度均达到97%。相同坯体密度的试样,线收缩、体积收缩均随温度升高而增大;相同温度下,坯体密度越高的试样,收缩越小,且在坯体密度最大时试样各向异性因子AHL最小为0.2%。通过共沉淀与球磨方式引入烧结助剂的Si3N4陶瓷致密度、收缩率与各向异性均随温度的升高而增大,且1800℃时致密度均为97%。在同一温度下,球磨试样的收缩小于共沉淀试样;但共沉淀粉体分布更为均匀,烧结收缩各向异性因子AHL最大0.3%,小于球磨试样1.38%。为获得高致密度、低收缩各向异性的Si3N4陶瓷,应选择组分分布均匀、高体积密度的素坯。采用模拟仿真方法研究了气氛烧结炉温度场分布。发现烧结过程中存在显着的温度分布不均的现象,四分之一模型在壁面的相交处温度最低,越靠近发热体处温度越高。长时间的保温可以改善温度场分布情况,增大均温区面积。在壁面处,均温区沿壁面呈环形分布;在中心截面处,在加热过程中中心截面温度最低,随着长时间保温中心截面处温度升高、中心截面处均温区逐渐减小,且越靠近发热体温度越高、均温区面积越大。
张晶[5]（2018）在《高能球磨辅助熔盐氮化法低温制备氮化硅粉体的研究》文中认为氮化硅陶瓷以其优异的性能而广泛应用于能源、电子、冶金、机械、化工、军工等重要领域。氮化硅粉体是制备氮化硅陶瓷的原料,也是影响其性能的关键因素之一。工业生产氮化硅粉体主要采用硅粉直接氮化法,但是这种方法的氮化温度高,生产周期长,容易出现氮化不完全的问题。本文提出了一种制备氮化硅粉体的新方法——高能球磨辅助熔盐氮化法。通过添加无机盐作为反应介质和稀释剂,并利用高能球磨对原料进行机械力活化处理,有效降低了粉体的合成温度,实现了硅粉在较低温度下和较短时间内的完全氮化,获得了α-Si3N4含量96wt%以上的粉体。本文的主要内容如下:一、确定了最佳的高能球磨工艺参数（球磨时间和转速）及合适的氮气流量。结果表明:球磨转速为600r/min,球磨时间为1.5h时,球磨后的样品中硅粉粒度降低到5μm以下,粒径分布较为均匀;氮气流量为450ml/min时,在1200℃保温4h,硅粉完全氮化,产物中的α-Si3N4含量为97wt%。二、以硅粉为原料,Na Cl-Na F复合熔盐为反应介质和稀释剂,采用高能球磨辅助熔盐氮化法制备出α-Si3N4粉体。研究了氮化温度、保温时间、盐硅比及熔盐中Na F含量对合成α-Si3N4的影响。结果表明:氮化温度为1200℃,保温时间为4h,盐硅比为2:1,熔盐中Na F含量为10wt%时,硅粉完全氮化。合成产物中α-Si3N4含量为96wt%,粉体的平均粒度D50为3μm,比表面积为9.7m2/g。产物中存在大量的α-Si3N4晶须,晶须的直径为40-280nm;晶须的生长机制为VC机制。三、研究了催化剂对硅粉氮化反应的影响。首先研究了Co的加入对Na Cl-Na F体系中硅粉完全氮化温度的影响;然后探讨了Co对不同熔盐体系（Na Cl、KCl、Na ClKCl）中硅粉氮化反应的影响;并在此基础上对Na Cl-KCl体系中不同催化剂（Fe、Co、Ni、Cr）的催化效果进行了比较。结果表明:加入5wt%的Co作催化剂,Na ClNa F体系中硅粉的完全氮化温度由1200℃降低至1150℃。不加Co时,Na Cl、KCl、Na Cl-KCl三个体系中的硅粉在1200℃均不能完全氮化,加入2.5wt%的Co可使三个体系均实现完全氮化;三个体系的产物形貌相似,都是不规则颗粒状,并未发现有Si3N4晶须大规模生成。Na Cl-KCl体系中Ni、Fe、Co、Cr四种催化剂的加入均促进了硅粉的氮化,其中Co和Cr的催化效果优于Ni和Fe,而Fe的催化效果略优于Ni。
于博文[6]（2018）在《Al2O3/C混合粉体吸光度对AlON粉体及其透明陶瓷性能的影响》文中研究说明尖晶石型γ-AlON是一种同时兼具优异透光性和良好力学性能的结构—功能一体化透明陶瓷材料,可广泛用作先进载运装备的透明窗口。目前AlON的制备广泛采用两步法,即先合成AlON粉体,再烧结制备AlON透明陶瓷。其中AlON粉体的性能是影响后续透明陶瓷烧结制备的关键。本文从合成AlON粉体的原料入手,研究混合原料粉体吸光度及合成工艺对AlON粉体及其透明陶瓷性能的影响规律。以纳米级氧化铝和活性炭为原料（活性炭含量为5.6 wt.%）,利用球磨方法制备具有不同吸光度的A1203/C混合粉体,再依据吸光度选取特征混合粉体,在不同合成工艺条件下研究混合粉体吸光度对AlON粉体性能的影响规律。最后,采用无压烧结技术在1880 ℃保温150 min工艺下制备AlON透明陶瓷,研究混合原料粉体的吸光度及粉体合成工艺对AlON透明陶瓷透光性的影响规律。原料粉体混合球磨工艺研究表明,通过调控磨球填充比、球料比、液固比、球磨机转速和球磨时间等参数,可以制备出吸光度不同的原料混合粉体。选择吸光度分别为0.8、1.0、1.2和1.4的四种特征原料混合粉体,进一步的AlON粉体合成工艺研究表明:较高原料混合粉体吸光度有利于在较低温度、较短保温时间条件下合成O/N较低的纯相AlON粉体,且该粉体球磨后颗粒尺寸较均匀、细小;当原料混合粉体吸光度较低时,在较低温度或较短保温时间条件下合成的粉体中易存在A12O3残余,该粉体O/N偏高;以吸光度较低的混合粉体合成的AlON粉体,经球磨后,含尺寸较大的颗粒。无压烧结制备AlON透明陶瓷研究表明:AlON透明陶瓷的O/N显着低于其粉体的O/N,O/N的最大降低幅度可达8左右,表明在无压烧结过程中AlON被继续氮化。吸光度为0.8和1.0的原料混合粉体,于1775 ℃保温30 min或1750 ℃保温60 min合成的AlON粉体O/N可达8-10左右,烧结制备的透明陶瓷O/N约为5.4,与尖晶石型AlON的理论O/N相近,该陶瓷透过率最高达79%。
王贻朋[7]（2017）在《氮化硅粉体的合成及半透明陶瓷块体的制备研究》文中研究指明氮化硅陶瓷通常作为耐高温、耐磨损、化学稳定性强的结构材料使用,但其粉体合成工艺和特种性能的研究如透明性能一直是人们研究的热点。本文采用碳热还原法和自蔓延法对氮化硅粉体的合成工艺进行探究,并采用SPS技术制备了半透明Si3N4陶瓷块体。研究了烧结助剂用量和烧结温度对相组成和透明性的影响。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及透射电子显微镜等现代分析方法对合成的氮化硅粉体和半透明陶瓷块体的相组成、显微结构等进行了分析,得到如下结论:采用SiO2和碳粉为原料,N2作为高温反应气,研究了碳热还原法中反应温度、氮气流量、原料中碳与二氧化硅摩尔比三个参数对产物Si3N4粉体的影响,结果表明:在温度1600℃,氮气流量1L/min,碳与二氧化硅摩尔比3.5:1时,制得的Si3N4粉体中α-Si3N4和β-Si3N4含量分别为58wt.%和42wt.%。α相为平均粒径0.2μm的颗粒状,β相为粒径长0.5-1μm的针棒状。采用硅粉为原料,Y2O3+La2O3为烧结助剂,自蔓延反应生成Si3N4粉体的结果表明:复合添加剂用量2.4wt.%,氮气压力10MPa时,制得的Si3N4粉体为α和β两相混合物。针状β-Si3N4为主,粒径长几百纳米,直径十几纳米。在实验中两种粒度的硅粉原料在设计范围内并没体现出对产物晶型显着的影响。采用α-Si3N4作原料,AlN/MgO/(Y2O3+La2O3)作复合烧结助剂,用SPS制备半透明氮化硅陶瓷块体结果表明:在最佳烧结温度1700℃时,烧结助剂用量2wt.%、6wt.%、9.35wt.%、12wt.%的粉体都能制备出致密度超过99%,维氏硬度22 GPa以上的氮化硅陶瓷。相组成中α含量与烧结助剂用量存在关系式y=0.03162-0.0316x+0.00896x2。Si3N4陶瓷中相组成α和β相含量接近1:1时,陶瓷的透明性最好。在烧结助剂用量6wt.%,烧结温度1650℃时,制备的块体陶瓷在厚度0.2 mm,波长800 nm处的透过率为29.7%。
唐惠东,杨蓉[8]（2016）在《废弃液晶屏玻璃基板的行星式球磨工艺研究》文中指出以废弃液晶屏玻璃基板为原料,研究了球磨方式和球磨时间在球磨过程中对粉料粒径分布的影响。通过对废弃液晶屏玻璃基板的行星式球磨工艺的研究,探讨了球磨方式、球磨时间等因素对球磨效果的影响,以建立玻璃粉体细化的合理球磨方式和工艺参数。
任昱延[9]（2015）在《强静电场下离子导电聚合物PEO-LiX与Al键合工艺研究》文中研究说明微电子机械系统（Micro-Electro-Mechanical System MEMS）的开发与研究如今已经成为一门前沿学科,它随着集成电路微精加工技术和高精度机加工技术的进步而得到了不断进步。阳极键合（Anodic Bonding）做为一种低温,破坏性小,连接可靠性强的连接技术,在不同材料连接特别是玻璃（陶瓷）与金属的连接中已经得到了广泛的应用,但由于玻璃或陶瓷质脆抗冲击性能弱等缺点使得它的应用受到了限制。离子导电聚合物PEO-LiX因其不仅具有玻璃（陶瓷）的抗腐蚀性,质密等特点而且具有质轻,塑韧性好等玻璃（陶瓷）不具备的优点使得将离子导电聚合物PEO-LiX应用在阳极键合中具有实用意义。本文应用球磨工艺来制备离子导电聚合物PEO-LiX,经过多组实验对比得出了球磨的最佳工艺参数:公转转速200r/min,球磨时间8h,球料比10:1,应用此球磨工艺参数制备出多组不同组成与配比的离子导电聚合物PEO-LiX粉料试样,将这些试样在压力机中压成统一尺寸的圆片后进行阳极键合实验记录下键合时的电流时间特性曲线,并对键合后试样的结合性能展开研究。研究手段包括X射线衍射（XRD）图谱分析、扫描电子显微镜（SEM）观察、超景深显微观察、色散谱（EDS）分析。分析得出:PEO:LiClO4=10:1,预热100℃,键合电压800V时所得到的键合试件的键合情况最好,只有少部分铝箔能够从离子导电聚合物PEO-Li ClO4上剥离开,碳元素和氧元素从离子导电聚合物一侧向铝箔一侧发生了迁移,且键合界面处有氧元素和碳元素的聚集。
王丽媛[10]（2014）在《添加Y对Mg17Al12化合物组织和性能的影响》文中进行了进一步梳理Mg合金作为21世纪最具开发潜能的一类金属材料,由于化学性质比较活泼,塑性较差等原因,使其在实际应用中受到限制。目前,已有研究报道通过添加稀土元素可有效改善Mg合金的力学性能。在合金熔炼的过程中添加稀土元素还可以起到除氢、净化及细化组织等作用。除作为结构材料外,Mg合金也可用作功能材料,例如生物材料和储氢材料。其中Mg17Al12是Mg-Al合金中常见的一种金属间化合物,可用做储氢材料使用。但添加稀土元素对Mg17Al12储氢性能影响的研究较少,本文主要研究添加稀土Y对Mg17Al12的组织和性能的影响。采用熔炼法来制备Mg17Al12+xY（x=0,0.5,1,2,3,5wt%）合金,利用行星式球磨机球磨合金,通过金相显微镜、x射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、激光粒度分析仪、维氏硬度仪及PCT测试仪等分析测试方法,研究了球磨时间和不同Y含量对Mg17Al12合金粉体的粒度、形貌、物相及吸放氢性能的影响。得到以下主要结论：（1）添加不同含量Y元素的铸态合金的组织为β-Mg17Al12+α-Mg共晶组织和A12Y相。当Y含量增至5wt%,铸态合金的组织不断细化；所有加入Y合金的表面出现了许多白色衬度的A12Y相,这些相以粒状、棒状或片状等形态弥散分布,同时黑色呈网状的共晶组织随Y含量的增加逐渐增多。Y的加入还会细化合金的组织,从而使合金的硬度提高。（2）当球磨时间延长至50h,Mg17Al12合金经不同时间球磨产物的相的组成均未发生改变,依旧为单相Mg17Al12。当球磨时间延长至30h,不同时间球磨产物的衍射峰呈现出逐渐宽化的趋势,Mg17Al12合金粉体变得越来越细小,粉体由原始棱角尖锐的块状变成近似球状颗粒,且在初始阶段粒度下降很快,但当球磨时间增至50h,衍射峰的宽度变窄,粉体颗粒不再减小,反而会出现团聚现象。Mg17Al12球磨30h后产物的粒度是均匀的,其平均粒度约为3μm。（3） Mg17Al12+xY（x=0.5,1,2,3,5wt%）合金经30h球磨后仍由β-Mg17Al12、α-Mg及A12Y相组成,但衍射峰宽化。Mg17Al12+xY（x=0.5,1,2,3,5wt%）球磨30h后产物近似呈球状且球化效果突出,添加不同含量Y合金的球磨产物的粒度均明显减小,且Y的添加量要适中。添加3wt%Y的合金球磨30h产物更均匀细小。对添加Y的Mg17Al12合金的吸放氢性能研究表明,随着Y含量的增加,合金的吸放氢速率显着提高,吸氢量减少,放氢平台显着升高。其中添加3wt%Y的合金的吸放氢速率比较快；添加1wt%Y的合金的吸氢量和放氢量均很高,分别为3.39%和2.84%,且有较宽而平坦的放氢平台压为1.33MPa。
二、氮化硅粉体的行星式球磨工艺研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、氮化硅粉体的行星式球磨工艺研究（论文提纲范文）
（1）(Tb1-xLux)2O3磁光透明陶瓷的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 磁光陶瓷的研究背景 |
| 1.1.1 磁光效应 |
| 1.1.2 磁光器件 |
| 1.1.3 磁光材料的研究历程 |
| 1.2 透明陶瓷概述及制备工艺 |
| 1.2.1 透明陶瓷概述 |
| 1.2.2 透明陶瓷的制备工艺 |
| 1.3 倍半氧化物Tb_2O_3磁光透明陶瓷 |
| 1.3.1 Tb_2O_3的结构和性质 |
| 1.3.2 倍半氧化物Tb_2O_3磁光透明陶瓷的研究历程 |
| 1.4 课题的提出及研究内容 |
| 第2章 实验原料设备及测试表征 |
| 2.1 实验原料 |
| 2.2 实验设备 |
| 2.3 实验分析仪器及主要测试方法 |
| 2.3.1 陶瓷粉体粒度表征 |
| 2.3.2 X射线衍射分析 |
| 2.3.3 热分析 |
| 2.3.4 热膨胀性能测试 |
| 2.3.5 密度测试 |
| 2.3.6 直线透过率 |
| 2.3.7 热导率测试 |
| 2.3.8 Verdet常数性能测试 |
| 2.3.9 陶瓷粉体及样品的显微结构表征 |
| 2.3.10 元素成分分析测试 |
| 2.3.11 光学显微镜表征 |
| 2.3.12 透射电镜表征 |
| 2.3.13 拉曼分析表征 |
| 第3章 Tb_2O_3的氧化行为和高温相变研究 |
| 3.1 Tb_2O_3在空气中的氧化过程及其室温稳定相 |
| 3.1.1 Tb_2O_3在空气中的氧化过程 |
| 3.1.2 TbO_x在室温下的稳定相 |
| 3.2 Tb_2O_3在高温无氧环境中的可逆相变 |
| 3.2.1 Tb_2O_3的高温相变 |
| 3.2.2 Tb_2O_3的热膨胀分析及演变 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 (Tb_(1-x)Lu_x)_2O_3陶瓷的制备及性能研究 |
| 4.1 原料粉体的选择和表征 |
| 4.2 球磨工艺的比较和优化 |
| 4.3 实验方法和制备流程 |
| 4.4 实验结果及测试表征 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 烧结助剂ZrO_2对(Tb_(1-x)Lu_x)_2O_3陶瓷的影响 |
| 5.1 Zr O_2对Tb_2O_3陶瓷的作用及影响 |
| 5.1.1 无助剂Tb_2O_3陶瓷的制备及Tb_2O_3陶瓷烧结助剂的选择 |
| 5.1.2 不同含量Zr O_2对Tb_2O_3陶瓷的作用及影响 |
| 5.2 Zr O_2对(Tb_(0.5)Lu_(0.5))_2O_3陶瓷的作用及影响 |
| 5.2.1 实验方法和制备工艺 |
| 5.2.2 实验结果及测试表征 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 Ce离子掺杂(Tb_(0.5)Lu_(0.5))_2O_3磁光陶瓷的制备及性能研究 |
| 6.1 Ce离子对Tb_2O_3高温相变的作用 |
| 6.2 Ce离子掺杂(Tb_(0.5)Lu_(0.5))_2O_3磁光陶瓷的制备及其性能研究 |
| 6.2.1 实验方法和制备工艺 |
| 6.2.2 实验结果与性能表征 |
| 6.3 本章小结 |
| 第7章 全文总结和展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录一:攻读博士学位期间发表的论文 |
| 附录二:作者简历 |
（2）原位微区分析标准样品制备技术的研究进展（论文提纲范文）
| 1 微区分析标准样品的特性要求 |
| 2 微区分析标准样品的制备方法 |
| 2.1 熔融玻璃法 |
| 2.2 粉末压片法 |
| 2.3 压制烧结法 |
| 2.4 直接采用天然均匀矿物法 |
| 2.5 人工晶体合成法 |
| 2.6 其他方法 |
| 3 陶瓷制备技术在微区分析标准样品制备中的应用前景 |
| 4 结语 |
（3）添加LiAlO2基助烧剂氮化硅陶瓷的低温致密化和制备工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 引言 |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 Si_3N_4的基本结构及理化性能 |
| 1.1.1 Si_3N_4的基本结构 |
| 1.1.2 Si_3N_4陶瓷的性能 |
| 1.1.3 Si_3N_4陶瓷的应用 |
| 1.1.4 Si_3N_4陶瓷的烧结方法 |
| 1.1.5 无压烧结 |
| 1.1.6 热压烧结 |
| 1.1.7 气压烧结 |
| 1.1.8 热等静压烧结 |
| 1.1.9 SPS烧结 |
| 1.2 Si_3N_4陶瓷的助烧剂 |
| 1.2.1 助烧剂的选择 |
| 1.2.2 金属氧化物助烧剂 |
| 1.2.3 稀土元素氧化物助烧剂 |
| 1.2.4 多组分氧化物助烧剂 |
| 1.3 大尺寸Si_3N_4陶瓷制品的制备 |
| 1.3.1 Si_3N_4陶瓷的造粒工艺 |
| 1.3.2 Si_3N_4陶瓷的成型工艺 |
| 1.4 课题的目的和意义及主要研究内容 |
| 1.4.1 课题意义和目的 |
| 1.4.2 课题研究内容 |
| 第二章 实验与方法 |
| 2.1 材料体系设计 |
| 2.1.1 助烧剂的选择 |
| 2.1.2 烧结方式的选择 |
| 2.2 实验原料及设备 |
| 2.2.1 实验原料 |
| 2.2.2 实验设备 |
| 2.3 试样制备 |
| 2.3.1 制备工艺 |
| 2.4 试样表征和性能测试 |
| 2.4.1 线收缩率和失重率 |
| 2.4.2 体积密度与相对密度 |
| 2.4.3 微观形貌与物相组成分析 |
| 2.4.4 β-Si_3N_4转化率 |
| 2.4.5 力学性能 |
| 2.4.6 抗热震性 |
| 2.4.7 抗氧化性 |
| 2.4.8 耐碱性 |
| 2.4.9 休止角 |
| 2.4.10 填充密度 |
| 第三章 LiAlO_2 助烧剂对Si_3N_4 陶瓷致密化的影响 |
| 3.1 LiAlO_2 含量对Si_3N_4 陶瓷烧结的影响 |
| 3.1.1 线收缩率、质量损失率和相对密度 |
| 3.1.2 物相分析 |
| 3.1.3 显微结构 |
| 3.2 烧结保温时间对Si_3N_4陶瓷烧结的影响 |
| 3.2.1 线收缩率、质量损失率和相对密度 |
| 3.2.2 物相分析 |
| 3.2.3 显微结构 |
| 3.3 小结 |
| 第四章 LiAlO_2-Y_2O_3 复合助烧剂对Si_3N_4 陶瓷致密化的影响 |
| 4.1 烧结温度对Si_3N_4陶瓷烧结的影响 |
| 4.1.1 线收缩率、质量损失率和相对密度 |
| 4.1.2 物相分析 |
| 4.2 LiAlO_2-Y_2O_3 配比对Si_3N_4 陶瓷烧结的影响 |
| 4.2.1 线收缩率、质量损失率和相对密度 |
| 4.2.2 物相分析 |
| 4.2.3 显微结构 |
| 4.3 小结 |
| 第五章 大尺寸Si_3N_4陶瓷制品的制备及性能 |
| 5.1 成型工艺的优化 |
| 5.1.1 Si_3N_4粉体的造粒 |
| 5.1.2 结合剂添加量对Si_3N_4陶瓷制品制备的影响 |
| 5.2 放置方式对Si_3N_4陶瓷制品烧结的影响 |
| 5.2.1 管状试样水平和竖直放置对烧结变形的影响 |
| 5.2.2 V型槽对管状试样烧结变形的影响 |
| 5.3 Si_3N_4陶瓷制品的性能测试 |
| 5.3.1 抗热震性 |
| 5.3.2 抗氧化性 |
| 5.3.3 耐碱性 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表的学术成果 |
（4）氮化硅陶瓷烧结微小变形研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 Si_3N_4陶瓷及其应用 |
| 1.1.1 Si_3N_4陶瓷简述 |
| 1.1.2 Si_3N_4陶瓷的应用 |
| 1.2 Si_3N_4陶瓷成型 |
| 1.2.1 干法压制成型 |
| 1.2.2 浆料成型 |
| 1.3 Si_3N_4陶瓷的烧结 |
| 1.3.1 液相烧结机理 |
| 1.3.2 Si_3N_4陶瓷烧结助剂 |
| 1.3.3 烧结方法 |
| 1.4 烧结变形因素 |
| 1.4.1 成型坯体质量 |
| 1.4.2 形状尺寸 |
| 1.4.3 烧结液相 |
| 1.4.4 重力 |
| 1.4.5 原料粉体 |
| 1.4.6 烧结温度场 |
| 1.4.7 其他 |
| 1.5 研究背景及意义 |
| 1.6 课题研究目的及内容 |
| 1.6.1 课题研究目的 |
| 1.6.2 课题研究内容及创新点 |
| 第二章 实验原料、方法、设备及性能表征 |
| 2.1 实验原料 |
| 2.2 实验方法、设备 |
| 2.3 分析与表征 |
| 2.3.1 pH的检测与计算 |
| 2.3.2 热重分析 |
| 2.3.3 收缩率测试 |
| 2.3.4 密度测试 |
| 2.3.5 物相与微观结构分析 |
| 2.3.6 力学性能测试 |
| 第三章 烧结助剂种类对Si_3N_4陶瓷烧结收缩的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.2.1 实验原料配方 |
| 3.2.2 实验的制备与检测 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 烧结助剂Y2S的制备与检测 |
| 3.3.2 烧结助剂Y2SM的制备与检测 |
| 3.3.3 烧结助剂种类对Si_3N_4陶瓷烧结致密度的影响 |
| 3.3.4 烧结助剂种类对Si_3N_4陶瓷烧结收缩的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 烧结助剂含量对Si_3N_4陶瓷烧结收缩的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验过程 |
| 4.2.1 实验原料配方 |
| 4.2.2 实验的制备与检测 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 烧结助剂含量对Si_3N_4陶瓷致密度的影响 |
| 4.3.2 烧结助剂含量对Si_3N_4陶瓷烧结收缩的影响 |
| 4.3.3 Y2SM含量对Si_3N_4 陶瓷烧结致密度、收缩的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 坯体对Si_3N_4陶瓷烧结收缩的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.2.1 实验原料配方 |
| 5.2.2 实验的制备与检测 |
| 5.3 实验结果与讨论 |
| 5.3.1 坯体密度对Si_3N_4陶瓷烧结致密度的影响 |
| 5.3.2 坯体密度对Si_3N_4陶瓷烧结收缩的影响 |
| 5.3.3 共沉淀与球磨粉体烧结助剂分布均匀性 |
| 5.3.4 球磨与共沉淀粉体对Si_3N_4陶瓷致密度的影响 |
| 5.3.5 球磨与共沉淀粉体对Si_3N_4陶瓷收缩的影响 |
| 5.3.6 球磨Al_2O_3-Y_2O_3-Si_3N_4 陶瓷物相分析与SEM形貌 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 真空气氛烧结炉温度场的仿真 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 模型与传热方式的确定 |
| 6.2.1 烧结炉物理模型的建立 |
| 6.2.2 烧结炉传热方式 |
| 6.3 实验过程 |
| 6.4 实验结果与讨论 |
| 6.4.1 保温前后烧结炉整体温度分布 |
| 6.4.2 保温前后烧结炉内壁温度分布 |
| 6.4.3 保温前后烧结炉中心截面温度分布 |
| 6.5 本章小结 |
| 结论与展望 |
| 结论 |
| 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间发表的论文与专利 |
| 致谢 |
（5）高能球磨辅助熔盐氮化法低温制备氮化硅粉体的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 引言 |
| 第1章 文献综述 |
| 1.1 氮化硅的结构、性能及应用 |
| 1.1.1 氮化硅的晶体结构 |
| 1.1.2 氮化硅的性能 |
| 1.1.3 氮化硅的应用 |
| 1.2 氮化硅粉体的制备方法 |
| 1.2.1 硅粉直接氮化法 |
| 1.2.2 碳热还原氮化法 |
| 1.2.3 自蔓延高温合成法 |
| 1.2.4 热分解法 |
| 1.2.5 气相法 |
| 1.3 硅粉氮化反应的影响因素 |
| 1.3.1 氮化制度 |
| 1.3.2 稀释剂 |
| 1.3.3 硅粉粒度 |
| 1.3.4 氢气 |
| 1.3.5 金属催化剂 |
| 1.4 熔盐氮化法 |
| 1.4.1 TiN粉体 |
| 1.4.2 BN粉体 |
| 1.4.3 Si_3N_4粉体 |
| 1.5 机械力活化技术 |
| 1.6 课题的目的及意义 |
| 第2章 实验 |
| 2.1 实验原料及设备 |
| 2.1.1 实验原料 |
| 2.1.2 实验设备 |
| 2.2 实验内容 |
| 2.3 样品制备与表征 |
| 2.3.1 制备工艺 |
| 2.3.2 表征方法 |
| 第3章 Si-N-O体系热力学分析和实验初步探索 |
| 3.1 Si-N-O体系热力学分析 |
| 3.2 球磨工艺参数的确定 |
| 3.2.1 实验条件 |
| 3.2.2 结果与讨论 |
| 3.3 氮气流量的确定 |
| 3.3.1 实验条件 |
| 3.3.2 结果与讨论 |
| 3.4 小结 |
| 第4章 工艺参数和原料配比对氮化反应的影响 |
| 4.1 氮化温度的影响 |
| 4.1.1 实验条件 |
| 4.1.2 结果与讨论 |
| 4.2 保温时间的影响 |
| 4.2.1 实验条件 |
| 4.2.2 结果与讨论 |
| 4.3 盐硅比的影响 |
| 4.3.1 实验条件 |
| 4.3.2 结果与讨论 |
| 4.4 NaF含量的影响 |
| 4.4.1 实验条件 |
| 4.4.2 结果与讨论 |
| 4.5 α-Si_3N_4晶须的生长机制 |
| 4.6 小结 |
| 第5章 催化剂对氮化反应的影响 |
| 5.1 催化剂对氮化温度的影响 |
| 5.1.1 实验条件 |
| 5.1.2 结果与讨论 |
| 5.2 催化剂含量的影响 |
| 5.2.1 实验条件 |
| 5.2.2 结果与讨论 |
| 5.3 催化剂对不同熔盐体系的影响 |
| 5.3.1 实验条件 |
| 5.3.2 结果与讨论 |
| 5.4 催化剂种类的影响 |
| 5.4.1 实验条件 |
| 5.4.2 结果与讨论 |
| 5.5 小结 |
| 第6章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（6）Al2O3/C混合粉体吸光度对AlON粉体及其透明陶瓷性能的影响（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 AlON透明陶瓷的结构与性能 |
| 1.2.1 AlON透明陶瓷结构 |
| 1.2.2 AlON透明陶瓷性能及应用 |
| 1.3 影响AlON透明陶瓷透光性因素 |
| 1.4 AlON透明陶瓷的制备 |
| 1.4.1 AlON粉体的合成 |
| 1.4.2 AlON透明陶瓷的烧结 |
| 1.5 原料混合粉体对陶瓷性能的影响 |
| 1.5.1 粉体对陶瓷化学均匀性的影响 |
| 1.5.2 粉体对陶瓷烧结工艺的影响 |
| 1.5.3 粉体对陶瓷性能的影响 |
| 1.6 研究内容及主要目的 |
| 第2章 实验方法 |
| 2.1 原材料与实验设备 |
| 2.1.1 原材料 |
| 2.1.2 实验设备 |
| 2.2 实验方案 |
| 2.2.1 不同吸光度原料混合粉体的制备 |
| 2.2.2 AlON粉体的合成 |
| 2.2.3 无压烧结制备AlON透明陶瓷 |
| 2.3 性能表征 |
| 第3章 氧化铝和活性炭粉体球磨工艺研究 |
| 3.1 球磨工艺对混合粉体吸光度的影响 |
| 3.1.1 磨球填充比研究 |
| 3.1.2 球料比研究 |
| 3.1.3 液固比研究 |
| 3.1.4 球磨机转速研究 |
| 3.1.5 球磨时间研究 |
| 3.2 球磨工艺优选 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 吸光度对AlON粉体性能的影响 |
| 4.1 合成粉体颜色及物相组成 |
| 4.1.1 粉体颜色 |
| 4.1.2 物相组成 |
| 4.2 球磨后粉体形貌 |
| 4.3 合成粉体的氧氮比 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 吸光度及AlON粉体合成工艺对透明陶瓷性能的影响 |
| 5.1 AlON粉体合成温度对透明陶瓷性能的影响 |
| 5.1.1 物相组成 |
| 5.1.2 相对密度 |
| 5.1.3 断口形貌 |
| 5.1.4 透光性 |
| 5.1.5 氧氮比 |
| 5.1.6 晶粒尺寸及分布 |
| 5.2 AlON粉体合成时间对透明陶瓷性能的影响 |
| 5.2.1 物相组成 |
| 5.2.2 相对密度 |
| 5.2.3 断口形貌 |
| 5.2.4 透光性 |
| 5.2.5 氧氮比 |
| 5.2.6 晶粒尺寸及分布 |
| 5.3 本章小结 |
| 5.3.1 合成AlON粉体时保温时间相同(30 min) |
| 5.3.2 合成AlON粉体时合成温度相同(1750℃) |
| 第6章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（7）氮化硅粉体的合成及半透明陶瓷块体的制备研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 氮化硅晶体的结构 |
| 1.3 氮化硅粉体 |
| 1.3.1 氮化硅粉体制备方法 |
| 1.3.2 粉体对陶瓷烧结的影响 |
| 1.4 氮化硅陶瓷 |
| 1.4.1 氮化硅陶瓷的性能 |
| 1.4.2 氮化硅陶瓷烧结技术 |
| 1.4.3 氮化硅陶瓷烧结助剂 |
| 1.4.4 陶瓷微观结构对透明性的影响 |
| 1.5 选题意义与研究内容 |
| 第2章 实验方案与分析方法 |
| 2.1 实验原料 |
| 2.2 实验方案 |
| 2.2.1 氮化硅粉体制备 |
| 2.2.2 SPS烧结氮化硅半透明陶瓷 |
| 2.3 材料结构表征 |
| 2.3.1 致密度 |
| 2.3.2 X射线衍射分析 |
| 2.3.3 扫描电镜分析 |
| 2.3.4 透射电镜分析 |
| 2.4 材料性能测试 |
| 2.4.1 硬度测试 |
| 2.4.2 光学性能测试 |
| 第3章 Si_3N_4粉体制备的工艺研究 |
| 3.1 碳热还原生成Si_3N_4反应理论分析 |
| 3.2 碳热还原制备Si_3N_4粉体的影响因素 |
| 3.2.1 反应温度对Si_3N_4粉体制备的影响 |
| 3.2.2 氮气流量对Si_3N_4粉体制备的影响 |
| 3.2.3 碳硅比对Si_3N_4粉体制备的影响 |
| 3.3 自蔓延反应制备Si_3N_4粉体的研究 |
| 3.3.1 复合添加剂对自蔓延烧结的影响 |
| 3.3.2 氮气压力的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 Si_3N_4半透明块体制备工艺研究 |
| 4.1 烧结助剂用量对Si_3N_4制备的影响 |
| 4.1.1 烧结助剂用量对相组成的影响 |
| 4.1.2 烧结助剂用量对光学性能的影响 |
| 4.2 烧结温度对Si_3N_4制备的影响 |
| 4.2.1 烧结温度对相组成的影响 |
| 4.2.2 烧结温度对光学性能的影响 |
| 4.3 烧结助剂种类对Si_3N_4制备的影响 |
| 4.3.1 烧结种类对相组成的影响 |
| 4.3.2 烧结助剂种类对光学性能的影响 |
| 4.4 α/β 相组成与性能的关系 |
| 4.4.1 α/β 晶体形貌 |
| 4.4.2 α/β 相组成与透明性的关系 |
| 4.4.3 α/β 相组成与致密度的关系 |
| 4.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（8）废弃液晶屏玻璃基板的行星式球磨工艺研究（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 实验 |
| 1.1 实验原料 |
| 1.2 实验过程 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 球磨方式对球磨效果的影响 |
| 2.1.1 一次球磨 |
| 2.1.2 二次球磨 |
| 2.2 球磨时间对球磨效果的影响 |
| 3 结论 |
（9）强静电场下离子导电聚合物PEO-LiX与Al键合工艺研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 阳极键合简介 |
| 1.3 导电聚合物研究现状 |
| 1.4 导电聚合物材料的应用 |
| 1.5 离子导电聚合物制取工艺研究现状 |
| 1.6 阳极键合工艺研究现状 |
| 1.7 本课题研究目的及研究内容 |
| 1.7.1 课题研究目的 |
| 1.7.2 课题研究内容 |
| 第二章 离子导电聚合物PEO-LiX的制备 |
| 引言 |
| 2.1 实验材料及方案 |
| 2.1.1 实验材料及设备 |
| 2.1.2 实验原理及方案 |
| 2.2 实验结果及分析 |
| 2.2.1 各工艺参数对导能力的影响 |
| 2.2.1.1 球磨转速对材料导电性的影响 |
| 2.2.1.2 球磨时间对材料导电性的影响 |
| 2.2.1.3 球料比对材料导电性的影响 |
| 2.2.1.4 锂盐种类对材料导电性的影响 |
| 2.2.1.5 粉料配比对材料导电性的影响 |
| 2.2.2 各工艺参数对粉料粒度的影响 |
| 2.2.2.1 球磨转速对离子导电聚合物粒度的影响 |
| 2.2.2.2 球磨时间对离子导电聚合物粒度的影响 |
| 2.2.3 实验结果分析 |
| 第三章 离子导电聚合物PEO-LiX与铝箔阳极键合实验及电特性曲线分析 |
| 3.1 阳极键合实验 |
| 3.1.1 实验材料及设备 |
| 3.1.1.1 实验材料 |
| 3.1.1.2 实验设备 |
| 3.1.2 阳极键合实验的前期准备工作 |
| 3.1.3 阳极键合实验 |
| 3.2 阳极键合各工艺参数对电流-时间特性曲线的影响 |
| 3.2.1 电压对电流-时间特性曲线的影响 |
| 3.2.2 温度对电流-时间特性曲线的影响 |
| 3.2.3 锂盐对电流-时间特性曲线的影响 |
| 3.2.4 PEO与LiX各种配比对电流-时间特性曲线的影响 |
| 3.2.5 键合时间对电流-时间特性曲线的影响 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 PEO-LiX和铝阳极键合界面结合性能分析 |
| 引言 |
| 4.1 键合界面宏观结合性能观察 |
| 4.2 界面微观结构观察 |
| 4.3 键合界面的能谱分析 |
| 4.4 键合机理分析 |
| 4.4.1 PEO-LiX的极化 |
| 4.4.2 过渡层的形成 |
| 第五章 离子导电聚合物PEO-LiX与Al阳极键合过程的MARC模拟分析 |
| 5.1 离子导电聚合物PEO-LiX/Al阳极键合过程分析模型建立的条件 |
| 5.1.1 物理参数 |
| 5.1.2 边界条件 |
| 5.2 离子导电聚合物PEO-LiX/Al阳极键合过程中的残余变形 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（10）添加Y对Mg17Al12化合物组织和性能的影响（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 金属间化合物 |
| 1.1.1 金属间化合物的发展 |
| 1.1.2 金属间化合物的制备方法 |
| 1.1.3 常见的金属间化合物 |
| 1.2 Mg_(17)Al_(12)金属间化合物 |
| 1.3 稀土元素在Mg合金中的作用 |
| 1.4 研究的目的和内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 技术路线 |
| 2.3 合金的熔炼 |
| 2.3.1 实验所用材料 |
| 2.3.2 合金成分设计 |
| 2.3.3 合金制备工艺 |
| 2.4 合金的粉碎 |
| 2.5 合金的机械球磨 |
| 2.6 组织结构分析 |
| 2.6.1 金相组织观察 |
| 2.6.2 X射线衍射分析 |
| 2.6.3 SEM/EDS分析 |
| 2.6.4 粒度测试实验 |
| 2.7 性能分析 |
| 2.7.1 硬度分析 |
| 2.7.2 储氢性能测试 |
| 参考文献 |
| 第三章 电阻炉熔炼法制备合金 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验方法 |
| 3.2.1 熔炼装置和模具 |
| 3.2.2 保护气体的选择 |
| 3.2.3 熔炼和浇注 |
| 3.3 结果与分析 |
| 3.3.1 金相组织观察 |
| 3.3.2 物相分析 |
| 3.3.3 SEM/EDS分析 |
| 3.3.4 硬度分析 |
| 3.4 结论 |
| 参考文献 |
| 第四章 球磨时间对Mg_(17)Al_(12)结构和形貌的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法 |
| 4.2.1 球磨参数的选择 |
| 4.2.2 机械球磨工艺 |
| 4.3 结果与分析 |
| 4.3.1 物相分析 |
| 4.3.2 SEM分析 |
| 4.3.3 粒度分析 |
| 4.4 结论 |
| 参考文献 |
| 第五章 Y对Mg_(17)Al_(12)结构和储氢性能的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验方法 |
| 5.3 结果与分析 |
| 5.3.1 组织结构分析 |
| 5.3.2 吸放氢性能分析 |
| 5.4 结论 |
| 参考文献 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 |
四、氮化硅粉体的行星式球磨工艺研究（论文参考文献）
- [1](Tb1-xLux)2O3磁光透明陶瓷的制备与性能研究[D]. 张俊宇. 中国科学院大学(中国科学院上海硅酸盐研究所), 2021
- [2]原位微区分析标准样品制备技术的研究进展[J]. 祁海,马冲先,张培志,郭方全,田云龙. 理化检验(化学分册), 2020(08)
- [3]添加LiAlO2基助烧剂氮化硅陶瓷的低温致密化和制备工艺研究[D]. 郭昂. 中钢集团洛阳耐火材料研究院, 2020(01)
- [4]氮化硅陶瓷烧结微小变形研究[D]. 刘文勇. 广东工业大学, 2020(06)
- [5]高能球磨辅助熔盐氮化法低温制备氮化硅粉体的研究[D]. 张晶. 中钢集团洛阳耐火材料研究院, 2018(01)
- [6]Al2O3/C混合粉体吸光度对AlON粉体及其透明陶瓷性能的影响[D]. 于博文. 大连海事大学, 2018(06)
- [7]氮化硅粉体的合成及半透明陶瓷块体的制备研究[D]. 王贻朋. 燕山大学, 2017(05)
- [8]废弃液晶屏玻璃基板的行星式球磨工艺研究[J]. 唐惠东,杨蓉. 工业安全与环保, 2016(09)
- [9]强静电场下离子导电聚合物PEO-LiX与Al键合工艺研究[D]. 任昱延. 太原科技大学, 2015(08)
- [10]添加Y对Mg17Al12化合物组织和性能的影响[D]. 王丽媛. 太原理工大学, 2014(02)