一、楔形金薄膜系统中的反常跳跃电导和隧道效应（论文文献综述）
房驰[1]（2020）在《磁性金属薄膜中自旋霍尔、反常霍尔与能斯特效应的研究》文中研究指明自旋电子学的研究和探索为基础科学和信息产业的可持续发展提供了新型动力。其中,包括铁磁性金属和反铁磁金属在内的常规磁性金属材料在自旋电子学创立之初就被当作主要研究内容,用来推动自旋电子学发展,特别是自旋电子器件高性价比的工业实用化。近年来,多个新兴分支加入自旋电子学并日益壮大,如重金属中的自旋霍尔效应（SHE）以及自旋轨道力矩（SOT）效应驱动磁矩翻转,温度梯度驱动磁性绝缘体中磁子的输运和磁子阀效应（MVE）等等。这些新突破为自旋电子学的研究提供了科学探索的新视角和工业应用的新机遇。通过这些新进展,我们反观磁性金属,发现铁磁性及反铁磁性金属中的自旋霍尔效应、反常霍尔效应及反常能斯特效应与电学及热学方法调控下的自旋注入、自旋轨道力矩的产生及磁矩翻转以及二维材料中新奇电输运特性等新奇自旋量子效应,有着诸多内在的物理关联和相互结合研究的可能性,非常值得进一步探索和实验验证。本论文围绕这个主题,在总结已有理论体系和研究方法的基础上,采用磁控溅射或分子束外延薄膜沉积方法、紫外光刻和氩离子刻蚀等微纳米图形化手段以及直流四探针或交流谐波电输运测试模式,对反铁磁性金属IrMn和Cr、铁磁性金属NiFe、二维铁磁性金属Fe3GeTe2等体系的自旋霍尔效应、反常霍尔效应以及反常能斯特效应进行了系统研究。（1）研究了反铁磁金属IrMn及重金属Pt、Ta中自旋霍尔效应和自旋弛豫机制。具有IrMn（Ta,Pt）/MgO/CoFeB/Ta/Ru结构的自旋注入隧道结中二次谐波测试的磁场依赖关系有着明显的汉勒效应信号,借助自旋注入与弛豫模型拟合洛伦兹线型曲线估算了自旋弛豫时间,达到1-10 ps量级。通过探测及比对自旋弛豫时间的温度依赖关系,将重金属Pt中的自旋弛豫机制归结为源于自旋轨道耦合相关的杂质散射的Elliott-Yafet弛豫机制,为其在磁矩调控和自旋流产生等问题的解决提供物理机制方面的借鉴。（2）研究了在反铁磁轻金属单晶Cr中自旋霍尔效应的探测及其自旋涨落增强。与包含磁性杂质的重金属合金相比,反铁磁金属既可以提供局域磁矩又对外不显示自发磁化,可以显着降低器件单元之间的相互退磁场干扰,使样品制备更为简单。制备包含反铁磁金属Cr的单晶隧道结薄膜Cr/MgO/Fe/Au,Cr和Fe的晶格常数与MgO势垒层有着很好的匹配,通过高分辨透射电镜和能量损失谱的方法证明单晶薄膜具有优异的外延特性和清晰的层间界面。之后将单晶薄膜通过紫外微纳加工技术加工为6微米×6微米隧道结器件阵列。自旋霍尔隧道谱方法中谐波测试的自旋霍尔电压强度比较显着,在200 K时自旋霍尔角的强度达到0.15。体系温度依赖关系在接近反铁磁-顺磁转变温度200 K时,自旋霍尔电导出现可观的与室温值相比的增益,达到了100%,在已知金属材料中属于先进水平。结合已有理论模型,本文将这种增益归结于传导电子与局域磁矩相互作用被自旋涨落增强,其主导机制为自旋霍尔效应的斜散射机制。（3）通过铁磁金属的反常霍尔效应产生自旋力矩,在基于NiFe/Cu/NiFe/Co/IrMn/Pt自旋阀中,施加面内电流实现零磁场下的面内磁矩翻转。翻转行为具有1 MA/cm2量级的临界翻转电流密度。反常霍尔效应产生的自旋流具有（-m R?m R×E）的特殊形式,可通过调节参考层的磁矩状态来改变电流翻转极性。该结构被证实在基于Co/Au/Co的自旋阀中也可以实现确定性的零场翻转,并且拥有低温至10 K和在两端结构中的可行性。（4）在具有垂直磁各向异性的二维金属薄膜Fe3GeTe2中观测到反常霍尔效应与反常能斯特效应。采用高真空低速热蒸发生长的多晶Fe3Ge Te2薄膜及其图形化后的热电测试器件,研究反常霍尔角、塞贝克系数及反常能斯特系数以及它们的温度依赖关系,并且基于Mott关系建立起在一定温度区间单调的标度律。与单纯的Mott关系相比更能体现出反常霍尔效应与热电系数的协同性。同时标定出能斯特系数等热电系数最大值达到0.28μV/（KT）,并且有可观的热电功率因子,能为今后进一步研究二维磁性导体的热电效应提供参考和指导。
张思,封文江,朱影,尹小荷,郭帅帅,何江海,徐雅辉,孟萍萍[2]（2014）在《基于密度泛函理论的NiAs型MnTe第一原理计算》文中研究说明运用MaterialsStudio 6.0程序CASTEP软件包建立NiAs型MnTe单胞和1×1×10的超胞模型,采用GGA-PBE-TS近似,得出能带结构和态密度曲线。NiAs型MnTe为间接能隙窄带半导体,带隙为0.843eV;MnTe单胞的下价带在-12.5-10.5eV,是一条二重简并带。在-6-3.5eV和0.82.6eV主要由Mn原子的d态电子贡献,该Mn原子的d电子的有效质量较大,导致强的电子局域性;MnTe1×1×10超胞的帯隙为0.623eV,下价带位于-13-11eV,对比单胞略微下移;在上价带和导带区域,MnTe超胞d态电子的能带和态密度都比MnTe单胞的变化平稳,整体形成较宽的赝能隙,说明Mn离子的共价性较强。
张雷[3]（2012）在《相变存储材料Ge2Sb2Te5的电子显微学研究及非晶结构解析》文中指出本论文工作综合使用了透射电镜明场像（BF-TEM）、选区电子衍射（SAED）、高分辨像（HREM）、X射线能量色散谱（EDS）、能量过滤电镜（EFTEM）和原位透射电镜（in-situ TEM）等电子显微学表征方法，并建立了电子衍射径向分布函数（RDF）方法和逆蒙特卡洛（RMC）方法等非晶结构研究方法，在TEM载网上沉积了非晶薄膜，探索了激光淬火非晶相制备方法，对相变存储材料Ge-Sb-Te，特别是Ge2Sb2Te5（GST）的结构和部分性能进行了深入研究，解析了非晶结构特征，具体如下：1．研究并掌握了电子衍射径向分布函数方法，进而研究并掌握非晶结构模拟的RMC方法，使得非晶结构研究有了技术和方法条件。2．研究了不同磁控溅射功率条件沉积的GST非晶（S-a GST）薄膜，发现了溅射功率与薄膜微结构和晶化温度的关系：微结构的复杂度随功率增加而增大，电阻-温度（R-T）曲线测量表明溅射功率还能引起非晶晶化温度的改变，功率增大，晶化温度降低。原因是溅射功率的高低决定了靶粒子动量的高低，沉积到衬底上引起了应力积累而处于不稳定状态，从而导致了裂纹并降低了晶化温度。3．研究了GST薄膜的在系列温度点下的原位退火过程，并分别计算了非晶相和亚稳态晶体相在各个时效温度点下的RDF，结合形貌像和高分辨，发现了GST薄膜晶化的本征特性，即倾向于形成均一纳米晶；RDF中特征峰的出现标志着晶化的开始；而非晶相的短程序（SRO）不随温度发生明显变化。4．探索和研究了激光淬火非晶的制备方法，通过对TEM载网的改进，和对脉冲激光参数的摸索，成功地制备了亚微米尺寸的激光淬火GST非晶（L-a GST）点状样品，可以用于SAED数据采集，进而进行非晶结构RDF/RMC研究。同时可以作为制备非晶的一种有效方法进行推广。5．利用RDF/RMC方法，研究了S-a GST结构。发现Ge/Sb-Ten原子构型通过Ge-Ge/Sb错键的连接形成以Te原子为壳层的原子团簇。原子构型的结构定义了局域结构，而原子团簇的结构控制了中程序。同时原子团簇的堆垛空隙形成了空穴，在其边界存在Te-Te键。6．同时还研究了L-a GST的结构S-a GST结构的差异，发现引起L-a GST具有比S-a GST更快的相变速度的因素：Ge/Sb-Te和Ge/Sb-Ge四种键的键长增加，错键Ge/Sb-Ge和Te-Te键数量减少；局域原子构型Ge（GexSbyTez）和Sb（GexTez）的种类减少，且无错键的原子构型GeTez和SbTez的数量明显增加；这两种原子构型同时作为I型原子团簇，相对于其他类型的原子团簇的比例占到了绝对优势并超过了S-a GST中的比例；并且Ge四面体在L-a GST中的比例明显下降。
陈雪皎[4]（2012）在《金纳米粒子在传感器中的应用探索》文中研究说明金纳米粒子是当前的热门研究课题之一,以其独特的电学、光学性质及生物相融性,受到了物理、化学及生命科学等相关领域的广泛关注。本文采用氯金酸还原柠檬酸钠法制得金纳米粒子,该制备步骤简单、成本低廉,并成功地将其应用于不同传感器进行探索研究。在本论文的第一部分中,主要介绍了金-聚合物核壳材料的制备及其在湿度传感器中的应用研究。通过对金-聚合物核壳材料的湿度敏感机理和电容式湿度传感器工作原理的分析,提出了用聚乙烯吡咯烷酮（PVP）包裹金纳米粒子（Au）制成核壳型的湿敏材料Au-PVP,并将其引入插指电极中制作成电容式湿度传感器。通过自行设计的湿度测试系统,对该传感器的各项湿度特性参数进行了测量研究。实验分析表明,Au-PVP电容式湿度传感器对水蒸汽具有良好的敏感特性,其灵敏度为-136Hz/%RH,且具有较好的线性度；重复性和稳定性较好,信号输出的最大波动率不超过2.2%：可在11.3%RH至93%RH的相对湿度环境范围内工作,响应时间在2min以内；具有一定的湿滞效应,但滞回较小,其最大滞环率仅为2.6%,在可接受范围之内。总之,Au-PVP电容式湿度传感器制备过程简单、成本低廉、与传统的IC工艺兼容,加上良好的湿度敏感性能,将在湿度传感器领域具有一定的研究和应用价值。第二部分中,主要介绍了微纳间隙-金电极的设计、制备及其在DNA电学检测中的应用研究。通过对硅氧化理论的分析,巧妙地设计了用微米级的光刻技术和热氧化工艺来实现电极间隙从微米向纳米尺度转换。通过版图设计和工艺实验,成功制得了亚微米间隙-金电极,并对其进行了形貌和电学性能表征。实验结果表明,不同的电极形状,氧化效果不同,其中平对平形状的电极氧化效果最佳,其间隙宽度从1.4μm缩小到500nm,且具有良好的绝缘性能。然后,将制备的平对平电极阵列（即插指型电极）用于DNA的电学检测,三种插指型电极的间隙宽度分别为1.8μm、1.3μm和600nm。通过比较裸电极、单链DNA固定后的电极、双链DNA杂交后的电极这三种情况的Ⅰ-Ⅴ特性曲线,可以发现只有在与匹配的目标DNA杂交后,三个电极的Ⅰ-Ⅴ特性才有明显的变化,并计算得这三种间隙电极所对应的灵敏度分别为0.11、1.75和2.5μA/nM。由此说明,电极的间隙越小,灵敏度就越高。理论计算得其探测极限为～60fM。总之,该微纳电极的制作方法简单、巧妙、适合大批量生产。利用微纳电极为基体制作微纳传感器,有利于传感器的微型化和集成化。第三部分,主要介绍了一种基于金纳米粒子修饰的硅纳米线生物传感器的制备及其在DNA检测中的应用研究。通过湿化学方法制备硅纳米线,将金纳米粒子通过硅烷偶联剂APTMS修饰于硅纳米线表面,再用导电银浆和环氧树脂将导线连接于样品上,完成探测电极的制作,即DNA生物传感器；再通过金纳米粒子与DNA之间化学键的结合,将单链探针DNA固定于Au/SiNWs电极的表面,将其用于探测靶溶液中未知DNA序列。借助于电化学工作站,通过循环伏安法对样品进行测试扫描。实验表明,基于Au/SiNWs的生物传感器可成功区分匹配和非匹配的DNA序列,且不受背底缓冲液的影响。总之,由该方法所设计的样品具有以下优点：第一,通过简单的微加工工艺能够进行大批量生产,成本低且与大规模集成电路工艺相兼容,易于实现微型化,且能够实现实时监测。第二,该方法设计的DNA生物传感器,巧妙地利用了硅纳米线、金纳米粒子和DNA相互之间的特异性和生物相容性,想法新颖,易于实现,具有广泛的适用性。总之,本课题的主要研究内容是根据金纳米粒子的优良特性,采用不同的方法将其运用于不同传感器进行探索研究,为传感器向微型化、集成化、多参数检测发展提供一定的参考方案,具有一定的科研价值。
聂天晓[5]（2011）在《GeSi低维材料生长机理和微结构研究》文中研究表明目前,电子和光电器件强烈地影响着社会的多个领域,由于对这些器件的广泛需求使得人们对于高效,多功能的纳米器件的兴趣倍增。而纳米器件的发展离不开低维材料的发展。低维半导体材料有三大类,包括二维量子阱,一维纳米线,零维量子点。其中二维量子阱和零维量子点已经被研究了多年并且对全球技术的发展起到了重要的作用。最近几年一维纳米线已经引起了广泛的关注并且开启了制作电子和光电子纳米器件的途径。作为零维量子点的一种,锗硅量子点已经引起了广泛的关注。他们在光电子,微电子和单电子器件方面有着潜在的应用,并且更重要的是与传统的硅基集成电路技术有着良好的兼容性。然而,量子点位置的精确控制和锗元素的分布仍然是一个棘手的问题,同时,新型纳米线的探索和其机制的研究也是一个待解决的问题。在这篇论文中,通过一些简单的方法,芯壳结构硅-氧化硅纳米线,非晶氧化硅纳米线和氮化硅异质结纳米线被成功的合成出来。并且,就它们的生长机理和物理特性进行了深入的研究。自组织锗硅量子点样品通过分子束外延的方法生长出来。通过使用拉曼和透射电子显微镜技术,我们对氧气退火的锗硅量子点中锗的再分布进行了研究。1.芯壳结构铁-氧化铁颗粒催化生长芯壳结构硅-氧化硅纳米线通过退火铁覆盖的硅衬底样品,几十微米长,40-90纳米直径的芯壳结构硅-氧化硅纳米线被成功的制备出来。该纳米线的硅芯只有5-8纳米,然而外面的氧化硅壳层却非常的厚。经过衍射的确定,芯-晶体硅的生长方向为<111>。在经过了一系列的对比实验后,我们发现该芯壳结构硅-氧化硅纳米线是由芯壳结构的铁-氧化铁颗粒催化生长而来,并且遵循固-液-固的生长机理。2.锗催化生长非晶氧化硅纳米线及其光电应用用锗硅量子点或者锗硅合金样品作为衬底,成功的合成了非晶氧化硅纳米线,其直径为20纳米,长度达几十微米。纳米线的形貌和产率与样品的合成温度息息相关。一系列的对实验证明该纳米线是由金属锗催化得来,并且遵循固-液-固生长机制。在纳米线的光致发光谱中,存在两个发光峰位410纳米和570纳米,这两个峰位表明合成的纳米线有可能应用在白光二极管,全色显示器还有全色指示器中。3.单晶α-Si3N4/Si-Siox芯壳/豆荚状Au-SiOx轴向双异质结纳米线通过高温退火金覆盖的二氧化硅薄膜衬底,大量的合成出了单晶α-Si3N4/Si-SiOx芯壳/豆荚状Au-SiOx轴向双异质结纳米线。其直径为50-150纳米,长度为十几个微米。单晶α-Si3N4部分最先生长出来,紧接着是Si-SiOx芯壳,最后长出来豆荚状Au-SiOx部分。通过系统的改变温度和氧化硅薄膜厚度,一个温度决定的多步生长的气-液-固机制被提出来合理的解释异质结纳米线的生长。室温光致发光谱发现该纳米线存在两个明显的发光峰位（410纳米和515纳米）,这也表明该纳米线在光源,激光和发光显示器件方面有着潜在的应用。4.在锗硅薄膜衬底上用金属钨催化生长笔直形貌的氧化硅纳米线使用钨作为催化剂,通过退火锗硅合金薄膜衬底,制备出了笔直形貌的非晶氧化硅纳米线,其长度为几个微米,直径为100纳米。在每根氧化硅线的顶端有一个钨的催化剂。系统的对比实验表明钨和锗硅合金薄膜在纳米线的生长中都起到了至关重要的作用。一个气-固-固的生长机制可以用来解释该纳米线的生长现象。5.氧气退火致使的硅覆盖锗硅量子点样品中锗的再分布将S-K模式下生长的硅覆盖锗量子点样品在氧气下1000℃退火,形成了一种新的结构。一层新的锗富集量子点隐埋在氧化硅层中,并且处于原始量子点的上方。通过高分辨透射电子显微镜观察,发现新形成的量子点有着非常好的结晶度。新量子点的形成与温度有关。一些列的对比实验证明这种结构的形成与锗的表面偏析和锗从氧化层中分离,聚合有关。
李茂林[6]（2011）在《Bi系超导材料中缺陷界面对其电输运特性的影响》文中进行了进一步梳理本文系统地研究了Bi系超导材料中缺陷界面对其电输运特性的影响。在Bi系超导材料中,缺陷界面主要来源于Bi系超导结构中具有本征的由阳离子之间部分替代引起的不均匀结构和不同晶体取向的超导晶粒间的晶界。由于这两种缺陷界面的存在,使得实际生产中得到的多晶Bi系超导材料表现出颗粒超导电性。为了更好地理解这两种缺陷界面对多晶Bi系超导材料电输运特性的影响,本文首先分别对Bi/La等价掺杂的多晶Bi-2212超导体和Sr/Ca掺杂的多晶Bi-2201超导体的电输运特性进行详细的研究。然后,为了进一步了解Bi-2212超导体内部本征不均匀结构对其电输运特性的影响,对c轴外延Bi-2212超导薄膜的电输运特性进行系统的研究。为了满足实验的需要,先后自行设计搭建了三套电输运测试系统。通过不断的改进,最终得到了测试温区为10K-325K,测试时间为3-4个小时和数据能实现自动采集和存储等高性能高稳定性的电输运测试系统。通过对多晶Bi-2212超导体中Bi位进行微量La的等价掺杂,系统地研究了由Bi/La掺杂引起的缺陷界面变化对Bi-2212超导体电输运特性的影响。结果表明：随着La掺杂量的增加,正常态电阻逐渐增大,且经历了从有序的金属态逐渐向无序的金属态的转变；超导转变过程中,均出现两步转变,并且两步转变温度均随掺杂量增加而降低。La微掺杂引起Bi-2212颗粒超导电性变化的电输运模型被建立,从模型中可以看出,La掺杂一方面在电流路径中增加了结构不均匀所形成的低T。的（Bi,La）-2212晶粒数目,另一方面间接使电流路径加长引起超导晶界结效应显着。通过对多晶Bi-2201超导体进行不同比例的Sr/Ca掺杂,仔细分析了Sr/Ca掺杂带来的不均匀结构引起80K Bi-2201超导电性的电输运特性。结果表明：在零场下,当Ca掺杂量大于等于0.2时,BCSCO样品的起始转变温度在81K-85K范围内变化,80K的Bi-2201超导电性在电阻特性中得以证实。超导转变过程中,除了x=0.3样品以外,两步转变过程均能被观察到。Ca掺杂引起BCSCO颗粒超导电性的电输运模型的建立,一方面很好地解释了由Sr/Ca掺杂带来80K的Bi-2201的电输运特性,另一方面,作为第3章所建立颗粒超导电性电输运模型的一个补充,给出了在由掺杂带来的局域不均匀结构引起晶粒内超导电性提高情况下的电输运模型,从而完善了由掺杂引起Bi系颗粒超导电性变化的电输运模型。磁场下BCSCO的电阻特性表明,当H=500Gs时,Ca掺杂引起的结构不均匀性和晶界等缺陷对颗粒超导电性的影响在弱场范围达到一个“饱和状态”。通过对Pechini法制备出的四种不同结晶性c轴外延的Bi-2212薄膜,研究了不均匀成分对其电输运特性的影响,结果表明：具有c轴很好外延性的层状结构消除了超导晶粒间由晶界带来的相干超导转变,超导态所反映的超导转变是由Bi-2212晶粒内超导电性决定的。对于所有薄膜来说,通过在磁场下的R-T曲线和J-V曲线可以看出,当磁场大于Bi-2212的下临界磁场时,随着磁场的增加,超导体的Tc,zero和Jc（T）随之减小,而导致△Tc加宽,这种电输运特性被认为是在缺陷结构处的热激活磁通流动引起的。比较四种薄膜结构与电输运特性的关系可以看出,Bi-2212薄膜的结晶性越好,薄膜具有更好的电学性能；薄膜表面越粗糙,正常态电阻越大。总体上讲,用Pechini方法得到了c轴外延的Bi-2212超导薄膜,该超导薄膜具有80K以上的零电阻转变温度、温度在60K时临界电流密度为1.6×103A/cm2和下临界磁场为1000Gs的电输运特性。
谢建平[7]（2009）在《原子力和磁力显微镜对液相基底表面金属薄膜微观结构和磁特性的研究》文中提出自液相材料成功地被用作薄膜生长的基底以来,液相基底表面金属以及有机晶体薄膜在成膜机理、微观结构和物理特性等方面的研究已经引起了人们广泛的关注和重视。本论文采用热蒸发方法在液相（硅油）基底表面成功制备了非磁性（金Au、银Ag、铜Cu）和磁性（铁Fe）金属薄膜,系统研究了该自由支撑薄膜系统的成膜机理、微观结构、薄膜特征内应力和磁特性等,得到以下结果：（1）液相（硅油）基底表面磁性（Fe）和非磁性（Cu、Ag、Au）的金属薄膜的生长机理均近似服从二阶段生长模型：沉积原子在基底表面首先扩散、成核并凝聚成尺寸为微米量级的准圆形原子团簇；然后沉积原子和原子团簇继续经过无规扩散和旋转,逐渐凝聚成分枝状凝聚体,随着名义膜厚的增加,分枝状凝聚体不断生长和相互连接,最终形成致密的连续薄膜。在连续铜薄膜系统中,发现了准周期的带状有序结构。（2）液相（硅油）基底表面金属原子团簇和分枝状凝聚体存在边缘扩散现象,且随着基底温度的升高,扩散现象逐渐明显。实验结果显示,在银薄膜系统中,随着硅油基底温度升高,原子团簇和凝聚体不断向样品边缘定向扩散,样品中心区域的团簇或凝聚体的覆盖率比边缘的相应值小；对于一定的薄膜名义厚度,硅油基底温度越高,中心区域的凝聚体覆盖率越小。（3）原子力显微镜（AFM）表面分析结果显示：液相（硅油）基底表面金属原子团簇、分枝状凝聚体和连续薄膜均是由101纳米量级的原子颗粒所组成的,颗粒尺寸服从高斯分布。同一实验条件下,不同金属材料对应不同的颗粒尺寸分布。液相基底表面金属薄膜的上表面、下表面形貌和微观结构并不相同,并且依赖于薄膜名义厚度d的变化而变化。（4）利用磁力显微镜（MFM）首次观察了液相（硅油）基底表面磁性铁薄膜中的磁畴结构。铁原子分枝状凝聚体中没有观察到磁力信号；连续薄膜中的磁畴结构分布杂乱无规；磁畴尺寸和相图磁力信号均随薄膜厚度增加而增加；即当10.0nm≤d≤80.0nm时,记录磁力变化信号变化的振动相移Δθ从0.29°变化到0.81°,相对应的磁力梯度从1.4×10-3N／m变化到4.0x10-N／m。与此相比,沉积在玻璃基底上铁薄膜样品中,发现了明显的十字畴壁结构（Cross-tie wall）.本文各章节内容安排如下：第一章：综述了固体和液体基底表面薄膜的制备方法、成膜机理、微观机构及其计算机模拟结果等；详细介绍了磁畴理论、观测磁畴的主要方法和磁性薄膜的研究现状；最后给出原子力显微镜和磁性显微镜的工作原理。第二章：系统研究了硅油基底表面铜薄膜的成膜机理、微观结构及连续铜薄膜中由于特征内应力释放而产生的带状有序结构的生长规律和形成机理。第三章：给出了银原子及其团簇在硅油基底表面的凝聚特性及其受温度的影响规律；利用原子力显微镜对金和银分枝状凝聚体以及金连续薄膜正反表面的微观结构进行了细致的研究。第四章：利用磁力显微镜观察和分析了液相（硅油）基底表面铁分枝状凝聚体和连续薄膜的磁畴结构,并与玻璃基底表面铁薄膜的磁畴结构进行了对比。第五章：研究结论与后续展望。这一部分梳理和总结了全文的主要观点和研究结论,并展望了未来有待进一步研究的问题。
周丽春[8]（2009）在《电场作用下高密度聚乙烯/纳米石墨微片导电复合材料非线性导电行为研究》文中研究说明研究导电复合材料在电场下的非线性导电行为特别是电击穿行为,不仅能更好地了解导电复合材料的导电性能和机理,还可以为导电复合材料的应用提供合理、可靠的依据。本论文主要研究了高密度聚乙烯/纳米石墨微片（HDPE/GN）导电复合材料在电场作用下非线性导电行为,着重研究了在电流作用下的电击穿行为。本论文主要研究工作如下:（1）HDPE/GN导电复合材料渗滤导电行为研究本文以GN与HDPE熔融复合制备的HDPE/GN导电复合材料作为研究对象,研究了HDPE/GN导电复合材料的渗滤导电行为。GN的含量与HDPE/GN导电复合材料电阻率之间的关系符合渗滤导电方程。HDPE/GN导电复合材料的渗滤阈值较低,说明具有较大径厚比的GN容易在高分子基体中形成导电通路。渗滤临界指数值与理论渗滤网络普适值差异较大,说明HDPE/GN导电复合材料渗滤体系的传输行为是非普适性传输行为。（2）HDPE/GN导电复合材料可逆非线性导电行为研究本文研究了HDPE/GN导电复合材料在电流下的I ? U曲线,得到非线性转变电流密度与线性电导率之间的标度模型。标度模型指数x值的范围在DRRN网络模型预测的理论指数值范围内,说明引起HDPE/GN导电复合材料可逆非线性导电行为的主要机理是导电网络的隧道效应。分析了HDPE/GN导电复合材料非线性导电行为偏离线性导电行为的程度,结果表明当GN的含量接近渗滤阈值时,HDPE/GN导电复合材料非线性导电行为得到增强。（3）HDPE/GN导电复合材料临界电击穿行为研究本文首先研究了电流（ I≤Ib）作用下HDPE/GN导电复合材料的非线性响应。在电流作用下,导电复合材料内最终达到电热平衡状态,材料的电阻和温度在电热平衡状态下达到稳定值。研究了HDPE/GN导电复合材料电热平衡态的非线性导电行为,电热平衡态的非线性导电行为是导电网络内隧道效应和焦耳热效应共同作用的结果。研究了电流作用下HDPE/GN导电复合材料的电阻热松弛行为,热松弛时间τh随着电流的增加而变长,热松弛时间τh在临界击穿点发散。研究了HDPE/GN导电复合材料临界击穿电场,建立了临界击穿电场与线性电阻的标度模型。研究了GN的含量、测试样品的大小、电击穿的测试次数对HDPE/GN导电复合材料临界击穿电阻与线性电阻比值的影响,表明HDPE/GN导电复合材料的临界击穿电阻与线性电阻的比值Rb / R0为定值。研究了不同石墨填料/HDPE导电复合材料Rb / R0值,表明Rb / R0值与导电填料的性质有关。（4）HDPE/GN导电复合材料动态电击穿行为研究本文研究了在击穿电流作用下HDPE/GN导电复合材料的电阻随时间的变化,建立电阻与时间的标度模型。研究了导电复合材料在电流作用下的电击穿时间,建立击穿电流与击穿时间的标度模型。研究了HDPE/GN导电复合材料在动态电击穿过程中温度的变化,结果表明当HDPE/GN导电材料发生电击穿时,HDPE的相态发生了变化。研究了在电流作用下动态电击穿过程中HDPE/GN导电复合材料的电阻随温度的变化,结合温度场下HDPE/GN导电复合材料的PTCR效应,探讨了在电流作用下HDPE/GN导电复合材料的电击穿的机理。（5）电压作用下HDPE/GN导电复合材料自加热行为研究本文研究了在自加热效应作用下HDPE/GN复合材料的电阻和温度对时间的依赖性。研究了电压作用下HDPE/GN复合材料电热平衡态的非线性导电行为,探讨了电热平衡态非线性导电行为的机理。研究了HDPE/GN导电复合材料在自加热效应下的电开关特性,材料的电开关值随电压的升高而增大,电开关时间随电压的升高而变短。研究HDPE/GN导电复合材料的电开关临界电压值,建立临界电压值与样品的线性电阻的标度模型。
陶向明,夏阿根,叶高翔[9]（2004）在《楔形金薄膜系统中的反常跳跃电导和隧道效应》文中研究说明采用真空蒸镀方法 ,利用液体衬底在沉积过程中的线性扩散过程 ,在玻璃表面制备出斜率仅为 10 - 5的楔形金薄膜逾渗系统 ,并用四引线方法测量了从该薄膜系统中得到的均匀无序金薄膜的导电特性 .实验结果表明 :和通常的平整薄膜逾渗系统相比 ,该薄膜系统呈现更为强烈的跳跃电导和隧道效应 .
夏阿根,杨波,金进生,叶全林,陶向明,叶高翔[10]（2003）在《沉积在硅油表面上Au薄膜的电学性能及成膜机理》文中指出采用硅油作基底 ,沉积出具有网状特征结构的逾渗Au薄膜 ,用四引线方法原位测量Au薄膜的电学性能 ,测得其电阻随沉积时间以及凝聚时间的变化规律 ,较好地解释了此类薄膜的生长机制。对Au薄膜R I特性的测量结果表明 :生长在液体基底表面Au薄膜的局域隧道电流和跳跃电导效应比一般薄膜更为强烈 ,其功率谱指数w趋于零 ,该值远小于普通逾渗薄膜系统的相应值
二、楔形金薄膜系统中的反常跳跃电导和隧道效应（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、楔形金薄膜系统中的反常跳跃电导和隧道效应（论文提纲范文）
（1）磁性金属薄膜中自旋霍尔、反常霍尔与能斯特效应的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 磁电阻效应与霍尔效应 |
| 1.1.1 巨磁电阻 |
| 1.1.2 隧穿磁电阻 |
| 1.1.3 霍尔效应 |
| 1.2 自旋流的产生、注入与探测 |
| 1.2.1 自旋流的产生与注入 |
| 1.2.2 自旋弛豫与自旋流的探测 |
| 1.3 自旋热电子学 |
| 1.3.1 传统热电效应 |
| 1.3.2 自旋相关的热电效应 |
| 1.4 待解决的问题与论文结构 |
| 第2章 研究方法 |
| 2.1 薄膜样品的制备 |
| 2.1.1 磁控溅射 |
| 2.1.2 分子束外延 |
| 2.1.3 退火工艺 |
| 2.2 样品的磁性表征 |
| 2.3 样品的微加工工艺 |
| 2.3.1 紫外光刻 |
| 2.3.2 氩离子刻蚀 |
| 2.3.3 隧道结的微纳加工工艺 |
| 2.4 磁电输运性质的表征 |
| 2.4.1 直流电输运测量 |
| 2.4.2 交流电输运技术 |
| 2.5 温度梯度的引入及磁热特性的表征 |
| 2.5.1 塞贝克效应的特征量表征 |
| 2.5.2 能斯特效应的特征量表征 |
| 第3章 自旋注入及自旋弛豫时间的研究 |
| 3.1 研究背景 |
| 3.2 注入结的制备与表征 |
| 3.3 Ta和Pt中的自旋注入磁电阻 |
| 3.4 IrMn中的自旋注入磁电阻及自旋弛豫时间 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 反铁磁金属Cr中的自旋霍尔效应 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 单晶隧穿结的制备与结构表征 |
| 4.3 Cr中自旋霍尔效应的探测 |
| 4.4 Cr的自旋霍尔角及其温度依赖关系 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 铁磁金属NiFe中自旋流的产生与磁矩翻转 |
| 5.1 研究背景 |
| 5.2 巨磁阻结构的制备与优化 |
| 5.3 NiFe产生的自旋流与磁化翻转 |
| 5.4 反常霍尔磁矩翻转机制的拓展性 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 二维磁性薄膜Fe_3GeTe_2中自旋相关热电输运 |
| 6.1 研究背景 |
| 6.2 基于线性响应理论的能斯特系数导出 |
| 6.3 Fe_3GeTe_2薄膜的磁性及电输运性质 |
| 6.4 自旋相关塞贝克效应与反常能斯特效应 |
| 6.5 Fe_3GeTe_2器件中的标度律 |
| 6.6 本章小结 |
| 第7章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（2）基于密度泛函理论的NiAs型MnTe第一原理计算（论文提纲范文）
| 0引言 |
| 1理论模型与计算参数 |
| 2结果与讨论 |
| 2.1 MnTe单胞 |
| 2.2 MnTe1×1×10超胞 |
| 3结论 |
（3）相变存储材料Ge2Sb2Te5的电子显微学研究及非晶结构解析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 存储器的种类及其发展 |
| 1.2.1 三类存储器 |
| 1.2.2 相变存储器 |
| 1.3 相变存储材料 |
| 1.3.1 相变材料的种类 |
| 1.3.2 GeSbTe体系的相变材料 |
| 1.4 非晶材料及其结构 |
| 1.4.1 非晶材料的发展及其特性 |
| 1.4.2 非晶体的结构及结构模型 |
| 1.5 GeSbTe体系的晶体/非晶结构 |
| 1.5.1 GeSbTe体系亚稳相的结构 |
| 1.5.2 GeSbTe体系的非晶结构及相变机制 |
| 1.6 本课题的研究目的和研究内容 |
| 第2章 实验原理及方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 透射电子显微镜的基本结构 |
| 2.3 透射电子显微学的主要技术方法及其基本原理 |
| 2.3.1 选区电子衍射 |
| 2.3.2 振幅衬度成像和(高分辨)相位衬度成像 |
| 2.3.3 X射线能量色散谱 |
| 2.3.4 电子能量损失谱 |
| 2.3.5 透射电镜设备 |
| 2.4 磁控溅射法制备非晶态相变材料以及透射电镜样品制备 |
| 2.4.1 磁控溅射 |
| 2.4.2 激光打点设备及光路图 |
| 2.4.3 TEM样品制备 |
| 第3章 径向分布函数方法和逆蒙特卡洛方法研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 非晶结构研究技术 |
| 3.3 电子衍射径向分布函数方法研究 |
| 3.3.1 RDF函数形式及截止效应的消除 |
| 3.3.2 SAED数据采集和处理 |
| 3.3.3 电子的散射因子 |
| 3.3.4 F(s)和i(s)的计算方法 |
| 3.3.5 衍射强度I(s)的背底扣除 |
| 3.3.6 方法验证—多晶金的RDF |
| 3.3.7 物理意义 |
| 3.3.8 RDF方法可靠性研究 |
| 3.3.9 RDF程序 |
| 3.4 逆蒙特卡洛方法研究 |
| 3.4.1 RMC简介 |
| 3.4.2 RMC基本算法 |
| 3.4.3 RMC约束方法 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 磁控溅射GST表征和激光淬火GST制备方法研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 磁控溅射功率对GST薄膜的影响 |
| 4.3 磁控溅射GST薄膜的原位退火研究 |
| 4.4 激光淬火非晶样品的制备 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 沉积态非晶Ge_2Sb_2Te_5结构解析 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 多组Sa GST的i(s)和RDF数据比较 |
| 5.3 实验方法及数据处理 |
| 5.4 基本结构信息 |
| 5.5 局域原子构型和原子团簇研究 |
| 5.5.1 错键(Wrong bond) |
| 5.5.2 局域原子构型(local motif)和原子团簇(cluster) |
| 5.6 非晶结构模型中空穴及其分布研究 |
| 5.6.1 空穴的计算方法 |
| 5.6.2 空穴的分布及体积分数 |
| 5.7 局域序参数q |
| 5.8 本章小结 |
| 第6章 激光淬火非晶Ge_2Sb_2Te_5结构解析 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 La GST与Sa GST结构异同的RDF比较 |
| 6.3 La GST的结构及与Sa GST结构的差异 |
| 6.3.1 RMC模拟参数及基本结构信息 |
| 6.3.2 键长变化及Ge/SbTe键比例增加 |
| 6.3.3 局域原子构型的变化 |
| 6.3.4 原子团簇 |
| 6.3.5 空位尺寸减小及总体积分数减小 |
| 6.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
（4）金纳米粒子在传感器中的应用探索（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 纳米技术概述 |
| 1.2 纳米材料简介 |
| 1.2.1 纳米材料的定义与分类 |
| 1.2.2 纳米材料的基本特性 |
| 1.3 金纳米粒子简介 |
| 1.3.1 金纳米粒子的制备方法 |
| 1.3.2 金纳米粒子的表面修饰 |
| 1.3.3 金纳米粒子的应用研究回顾 |
| 1.4 本文主要研究内容及意义 |
| 参考文献 |
| 第二章 金-聚合物核壳材料的制备及其在湿度传感器中的应用研究 |
| 2.1 湿度传感器概述 |
| 2.1.1 湿度的定义及重要性 |
| 2.1.2 湿度传感器及其特性参数 |
| 2.1.3 湿度传感器的分类及其敏感机理 |
| 2.2 金-聚合物核壳材料电容式湿度传感器的敏感机理 |
| 2.2.1 电容式湿度传感器的原理 |
| 2.2.2 金-聚合物核壳材料湿度敏感机理 |
| 2.3 基于LabVIEW的湿度测试系统 |
| 2.3.1 传感器结构 |
| 2.3.2 标准湿度环境 |
| 2.3.3 信号转换电路 |
| 2.3.4 数据采集系统 |
| 2.4 金-聚合物核壳材料的制备及表征 |
| 2.4.1 金-聚合物核壳材料的制备 |
| 2.4.2 金-聚合物核壳材料的表征 |
| 2.5 基于金-聚合物核壳材料的湿度传感器性能测试 |
| 2.5.1 灵敏度和线性度 |
| 2.5.2 重复性和稳定性 |
| 2.5.3 响应时间和湿滞特性 |
| 2.6 讨论 |
| 2.6.1 金在聚合物包裹前后的感湿性能比较 |
| 2.6.2 与同类电容式湿度传感器的性能比较 |
| 2.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 微纳间隙-金电极的制备及其在电阻式生物传感器中的应用研究 |
| 3.1 DNA生物传感器概述 |
| 3.1.1 DNA基本特性与检测原理 |
| 3.1.2 DNA生物传感器分类 |
| 3.1.3 DNA在电极上的固定方法 |
| 3.1.4 DNA电学检测文献回顾 |
| 3.2 微纳间隙电极的设计原理 |
| 3.2.1 研究背景 |
| 3.2.2 理论依据 |
| 3.2.3 版图设计 |
| 3.3 微纳间隙电极的制备与表征 |
| 3.3.1 微纳间隙电极的工艺制备流程 |
| 3.3.2 微纳间隙-金电极的形貌表征 |
| 3.3.3 微纳间隙电极的电学性能表征 |
| 3.4 微纳间隙-金电极实现DNA电学检测 |
| 3.4.1 实验步骤 |
| 3.4.2 测试结果 |
| 3.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 金修饰的硅纳米线的制备及其在电化学生物传感器中的应用研究 |
| 4.1 电化学DNA传感器概述 |
| 4.1.1 电化学DNA传感器原理 |
| 4.1.2 电化学DNA传感器类型 |
| 4.1.3 各类电化学DNA传感器的特点比较 |
| 4.2 硅纳米线的制备方法与应用 |
| 4.2.1 硅纳米线的制备方法 |
| 4.2.2 硅纳米线的表面修饰 |
| 4.2.3 硅纳米线的研究现状 |
| 4.3 金修饰的硅纳米线的制备及表征 |
| 4.3.1 硅纳米线的生长机理 |
| 4.3.2 硅纳米线的制备及表面金修饰 |
| 4.3.3 金纳米粒子修饰的硅纳米线表征 |
| 4.4 金修饰的硅纳米线实现DNA电化学检测 |
| 4.4.1 测试步骤 |
| 4.4.2 测试结果 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 总结与展望 |
| 致谢 |
| 博士期间发表的论文和专利 |
（5）GeSi低维材料生长机理和微结构研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| §1.1 引言 |
| §1.2 一维纳米结构的种类和生长机理 |
| §1.2.1 一维纳米结构种类 |
| §1.2.2 VLS生长机制 |
| §1.2.3 SLS生长机制 |
| §1.2.4 VSS生长机制 |
| §1.2.5 催化机制 |
| §1.3 一维纳米结构的物理特性 |
| §1.3.1 电学性能 |
| §1.3.2 场致发射性能 |
| §1.3.3 光学性能 |
| §1.3.4 磁学性能和巨磁电阻现象 |
| §1.4 论文内容简介 |
| 第二章 实验设备和表征手段 |
| §2.1 样品制备实验装置 |
| §2.1.1 锗硅分子束外延系统 |
| §2.1.2 磁控溅射 |
| §2.1.3 真空退火炉 |
| §2.2 样品表征手段 |
| §2.2.1 透射电子显微镜 |
| §2.2.2 拉曼光谱 |
| §2.2.3 扫描电子显微镜 |
| §2.2.4 原子力显微镜 |
| 第三章 芯壳结构硅-氧化硅纳米线的制备和生长机理研究 |
| §3.1 引言 |
| §3.2 芯壳结构硅-氧化硅纳米线的制备 |
| §3.3 芯壳结构硅-氧化硅纳米线的微结构表征 |
| §3.4 通过拉曼光谱和TEM分析金属铁和离子态铁对芯壳结构纳米线的催化影响 |
| §3.5 芯壳结构硅-氧化硅纳米线生长机理的提出 |
| §3.6 结论 |
| 第四章 锗催化生长非晶氧化硅纳米线及其光电应用 |
| §4.1 引言 |
| §4.2 样品制备 |
| §4.3 非晶氧化硅纳米线的微结构表征 |
| §4.4 对比实验证明金属态锗起到了氧化硅纳米线生长的作用 |
| §4.5 生长机理的提出 |
| §4.6 结论 |
| 第五章 单晶α-Si_3N_4/Si-SiO_x芯壳/豆荚状Au-SiO_x轴向双异质结纳米线的制备,生长机理和发光性能研究 |
| §5.1 引言 |
| §5.2 异质结纳米线的制备 |
| §5.3 异质结纳米线的微结构表征 |
| §5.4 对比实验证明纳米线不同部分的生长顺序及其生长原理 |
| §5.5 生长机制的提出 |
| §5.6 结论 |
| 第六章 钨催化直氧化硅纳米线的生长 |
| §6.1 引言 |
| §6.2 样品的制备 |
| §6.3 氧化硅纳米线的形貌和微结构表征 |
| §6.4 对比试验发现金属钨和锗对直的氧化硅纳米线的生长起到了重要的作用 |
| §6.5 生长机理 |
| §6.6 结论 |
| 第七章 硅覆盖锗硅量子点的氧化特性 |
| §7.1 引言 |
| §7.2 硅覆盖锗硅量子点的制备,及其氧气退火的试验条件 |
| §7.3 从HAADF和拉曼的角度分析锗组分的再分布 |
| §7.4 形成机理的探讨 |
| §7.5 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文和专利 |
| 攻读博士学位期间参加的学术会议 |
| 致谢 |
（6）Bi系超导材料中缺陷界面对其电输运特性的影响（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 高温超导体的电输运特性研究 |
| 1.2.1 电阻温度特性(R-T特性) |
| 1.2.1.1 超导态性质 |
| 1.2.1.2 正常态性质 |
| 1.2.1.3 磁场的影响 |
| 1.2.2 电流电压特性(I-V特性) |
| 1.3 Bi系超导材料的研究现状 |
| 1.3.1 Bi系超导体的结构特征 |
| 1.3.2 Bi系超导粉体的研究现状 |
| 1.3.2.1 Bi-2212超导体的掺杂研究 |
| 1.3.2.2 Bi-2201超导体的掺杂研究 |
| 1.3.3 Bi系超导薄膜的研究现状 |
| 1.4 本论文的研究意义和内容 |
| 1.4.1 研究意义 |
| 1.4.2 研究内容 |
| 参考文献 |
| 第2章 实验方法与原理 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 相关物理概念 |
| 2.2.1 渗透模型 |
| 2.2.2 邻近效应 |
| 2.2.3 约瑟夫森效应 |
| 2.2.4 磁通动力学 |
| 2.3 制备方法 |
| 2.3.1 超导粉体的制备 |
| 2.3.2 超导薄膜的制备 |
| 2.3.3 超导块体及薄膜电极的制备 |
| 2.3.3.1 四引线方法 |
| 2.3.3.2 超导块体电极的制备 |
| 2.3.3.3 超导薄膜电极的制备 |
| 2.4 电输运测试系统 |
| 2.4.1 电输运测试系统Ⅰ(77K～200K) |
| 2.4.1.1 工作原理 |
| 2.4.1.2 系统构造和各部件功能 |
| 2.4.1.3 系统评价 |
| 2.4.2 电输运测试系统Ⅱ(64K～273K) |
| 2.4.2.1 工作原理 |
| 2.4.2.2 系统构造和各部件功能 |
| 2.4.2.3 系统评价 |
| 2.4.3 电输运测试系统Ⅲ(10K～290K) |
| 2.4.3.1 工作原理 |
| 2.4.3.2 系统构造和各部件功能 |
| 2.4.3.3 系统评价 |
| 2.5 结构表征手段 |
| 2.5.1 X射线衍射 |
| 2.5.2 金相显微镜 |
| 2.5.3 扫描电子显微镜 |
| 2.5.4 原子力显微镜 |
| 参考文献 |
| 第3章 Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)超导体中Bi位掺La对其电输运特性的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.2.1 样品制备 |
| 3.2.2 分析方法 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 (Bi_(1-x)La_x)_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)薄片的物相成分分析 |
| 3.3.2 零场下(Bi_(1-x)La_x)_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)薄片的电输运特性研究 |
| 3.3.2.1 正常态的电阻分析 |
| 3.3.2.2 超导态的超导性能分析 |
| 3.3.2.3 La掺杂引起Bi-2212颗粒超导电性的电输运模型 |
| 3.3.3 磁场对(Bi_(1-x)La_x)_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)薄片的电输运特性影响 |
| 3.4 本章结论 |
| 参考文献 |
| 第4章 由Sr/Ca不均匀结构引起80K Bi-2201超导电性的电输运特性研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验过程 |
| 4.2.1 样品制备 |
| 4.2.2 分析方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 BCSCO薄片的物相成分分析 |
| 4.3.2 零场下BCSCO薄片的电输运特性研究 |
| 4.3.2.1 正常态电阻分析 |
| 4.3.2.2 超导态的超导性能分析 |
| 4.3.2.3 Ca掺杂引起BCSCO颗粒超导电性的电输运模型 |
| 4.3.3 磁场对BCSCO薄片的电输运特性影响 |
| 4.4 本章结论 |
| 参考文献 |
| 第5章 c轴外延的Bi-2212薄膜中不均匀成分对其电输运特性的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.2.1 样品制备 |
| 5.2.1.1 Bi-2212前驱溶液的制备 |
| 5.2.1.2 Bi-2212薄膜的形成 |
| 5.2.2 分析方法 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 Bi-2212薄膜的结构分析 |
| 5.3.1.1 Bi-2212薄膜的物相分析 |
| 5.3.1.2 Bi-2212薄膜的微观形貌和成分分析 |
| 5.3.2 Bi-2212薄膜的电输运特性研究 |
| 5.3.2.1 零场下Bi-2212薄膜的电阻特性研究 |
| 5.3.2.2 磁场对Bi-2212薄膜的电阻特性的影响 |
| 5.3.2.3 Bi-2212薄膜的I-V特性研究 |
| 5.4 本章结论 |
| 参考文献 |
| 第6章 结论 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间已发表和在投的论文 |
（7）原子力和磁力显微镜对液相基底表面金属薄膜微观结构和磁特性的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| §1.1 薄膜生长及其结构 |
| §1.1.1 薄膜的研究历史 |
| §1.1.2 薄膜的制备技术 |
| §1.1.3 薄膜成核及生长 |
| §1.1.4 液相基底薄膜的研究现状 |
| §1.2 磁性薄膜和磁畴理论及发展 |
| §1.2.1 磁畴理论的发展简史 |
| §1.2.2 铁磁晶体内相互作用能 |
| §1.2.3 磁畴结构 |
| §1.2.4 磁畴观测主要方法 |
| §1.2.5 磁性薄膜的研究现状 |
| §1.3 原子力/磁力显微镜 |
| §1.3.1 原子力/磁力显微镜的发展 |
| §1.3.2 原子力/磁力显微镜的基本原理 |
| §1.3.3 磁探针 |
| §1.4 本文的研究内容及其意义 |
| 参考文献 |
| 第二章 硅油基底表面铜薄膜的形成机理及微观结构 |
| §2.1 引言 |
| §2.2 实验方法 |
| §2.3 实验结果和分析 |
| §2.3.1 铜原子分枝状凝聚体的形貌及凝聚特性 |
| §2.3.2 铜薄膜微观结构的AFM研究 |
| §2.3.3 连续铜薄膜中带状有序结构 |
| §2.4 结论 |
| 参考文献 |
| 第三章 硅油基底表面银和金薄膜凝聚特性及微结构的AFM研究 |
| §3.1 引言 |
| §3.2 实验方法 |
| §3.3 实验结果和分析 |
| §3.3.1 银原子及其团簇在硅油基底表面的凝聚特性 |
| §3.3.2 液相基底表面金和银薄膜的AFM研究 |
| §3.4 结论 |
| 参考文献 |
| 第四章 硅油基底表面铁薄膜的磁力显微镜研究 |
| §4.1 引言 |
| §4.2 实验方法 |
| §4.3 实验结果和分析 |
| §4.3.1 铁薄膜生长机理研究 |
| §4.3.2 连续铁薄膜磁畴结构 |
| §4.4 结论 |
| 参考文献 |
| 第五章 总结 |
| §5.1 主要研究成果及创新点 |
| §5.2 今后工作展望 |
| 附录 |
| 附录A 实验材料的主要物理参数 |
| 附录B 攻读博士期间已发表和待发表的论文目录 |
| 附录C 学术会议论文 |
| 附录D 参与科研项目 |
（8）电场作用下高密度聚乙烯/纳米石墨微片导电复合材料非线性导电行为研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 研究现状 |
| 1.2.1 高分子导电复合材料导电填料研究现状 |
| 1.2.2 石墨概况 |
| 1.2.3 高分子导电复合材料导电机理研究现状 |
| 1.2.4 电场作用下导电复合材料可逆的非线性导电行为研究现状 |
| 1.2.5 电场作用下导电复合材料电击穿行为的研究进展 |
| 1.3 研究目标和内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1 主要实验原料及仪器 |
| 2.2 纳米石墨微片的制备 |
| 2.3 HDPE/GN 导电复合材料的制备 |
| 2.4 HDPE/GN 导电复合材料渗滤导电行为的测试 |
| 2.5 HDPE/GN 导电复合材料非线性导电行为的测试 |
| 第三章 HDPE/GN 导电复合材料在电场作用下的可逆非线性导电行为 |
| 3.1 概述 |
| 3.2 HDPE/GN 导电复合材料渗滤导电行为 |
| 3.2.1 导电复合材料渗滤理论研究概况 |
| 3.2.2 HDPE/GN 导电复合材料渗滤导电方程 |
| 3.3 电场作用下HDPE/GN 导电复合材料可逆非线性导电行为 |
| 3.3.1 HDPE/GN 导电复合材料可逆非线性导电的测试 |
| 3.3.2 HDPE/GN 导电复合材料电流－电压曲线 |
| 3.3.3 HDPE/GN 导电复合材料临近渗滤阈值非线性导电行为的增强 |
| 3.3.4 HDPE/GN 导电复合材料非线性导电标度行为 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 电流作用下HDPE/GN 导电复合材料临界电击穿行为 |
| 4.1 概述 |
| 4.2 电流作用下HDPE/GN 导电复合材料导电行为的测试 |
| 4.3 电流作用下HDPE/GN 导电复合材料电阻和温度对时间的依赖性 |
| 4.3.1 电流作用下导电复合材料内的温度对时间的依赖性 |
| 4.3.2 电流作用下导电复合材料的电阻对时间的依赖性 |
| 4.3.3 电流作用下HDPE/GN 导电复合材料电阻热松弛行为 |
| 4.4 HDPE/GN 导电复合材料电热平衡态的非线性导电行为 |
| 4.4.1 HDPE/GN 导电复合材料电热平衡态J - E 曲线 |
| 4.4.2 HDPE/GN 导电复合材料电热平衡态J_C 与Σ_0 的标量关系 |
| 4.4.3 HDPE/GN 导电复合材料电热平衡态J - E 曲线的约化 |
| 4.5 HDPE/GN 导电复合材料临界电击穿模型研究 |
| 4.5.1 HDPE/GN 导电复合材料临界击穿电阻与线性电阻比值及影响因数 |
| 4.5.2 临界击穿电场与线性电阻比例关系 |
| 4.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 电流作用下HDPE/GN 导电复合材料动态电击穿行为研究 |
| 5.1 概述 |
| 5.2 HDPE/GN 导电复合材料电击穿行为和温度场下PTCR 行为的测试 |
| 5.2.1 HDPE/GN 导电复合材料电击穿行为的测试 |
| 5.2.2 HDPE/GN 导电复合材料在温度场下的PTCR 效应的测试 |
| 5.3 HDPE/GN 导电复合材料电击穿过程温度对时间的依赖性 |
| 5.4 HDPE/GN 导电复合材料在电流作用下的动态电击穿行为 |
| 5.4.1 HDPE/GN 导电复合材料动态电击穿过程电阻与时间的关系曲线 |
| 5.4.2 HDPE/GN 导电复合材料击穿电流与击穿时间的关系 |
| 5.5 温度场下HDPE/GN 导电复合材料的PTCR 行为 |
| 5.5.1 温度场下导电复合材料的PTCR 行为研究概述 |
| 5.5.2 温度场下HDPE/GN 导电复合材料的PTCR 行为 |
| 5.6 HDPE/GN 导电复合材料电击穿机理的探讨 |
| 5.6.1 相变理论 |
| 5.6.2 电致热击穿理论 |
| 5.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 电压作用下HDPE/GN 导电复合材料自加热效应 |
| 6.1 概述 |
| 6.2 导电复合材料在电压作用下非线性导电行为的测试 |
| 6.3 电压作用下HDPE/GN 导电复合材料自加热行为 |
| 6.3.1 电压作用下HDPE/GN 导电复合材料的温度对时间的依赖性 |
| 6.3.2 电压作用下HDPE/GN 导电复合材料内电流对时间的依赖性 |
| 6.3.3 电压作用下HDPE/GN 导电复合材料自控温原理 |
| 6.4 HDPE/GN 导电复合材料电热平衡态的非线性导电行为 |
| 6.4.1 HDPE/GN 导电复合材料电热平衡过程非线性导电机理 |
| 6.4.2 HDPE/GN 导电复合材料在电热平衡态下非线性导电行为 |
| 6.5 HDPE/GN 导电复合材料在电热平衡态下的电开关特性 |
| 6.5.1 导电复合材料的电开关特性 |
| 6.5.2 HDPE/GN 导电复合材料电开关值与电压的关系 |
| 6.5.3 HDPE/GN 导电复合材料临界电开关电压与线性电阻的关系 |
| 6.5.4 HDPE/GN 导电复合材料电开关时间与电压的关系 |
| 6.6 电流和电压作用下HDPE/GN 导电复合材料非线性导电行为的比较 |
| 6.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 结论与展望 |
| 附录:攻读博士学位期间发表及录用的论文 |
| 致谢 |
四、楔形金薄膜系统中的反常跳跃电导和隧道效应（论文参考文献）
- [1]磁性金属薄膜中自旋霍尔、反常霍尔与能斯特效应的研究[D]. 房驰. 中国科学院大学(中国科学院物理研究所), 2020(01)
- [2]基于密度泛函理论的NiAs型MnTe第一原理计算[J]. 张思,封文江,朱影,尹小荷,郭帅帅,何江海,徐雅辉,孟萍萍. 沈阳师范大学学报(自然科学版), 2014(01)
- [3]相变存储材料Ge2Sb2Te5的电子显微学研究及非晶结构解析[D]. 张雷. 北京工业大学, 2012(12)
- [4]金纳米粒子在传感器中的应用探索[D]. 陈雪皎. 华东师范大学, 2012(11)
- [5]GeSi低维材料生长机理和微结构研究[D]. 聂天晓. 复旦大学, 2011(12)
- [6]Bi系超导材料中缺陷界面对其电输运特性的影响[D]. 李茂林. 东北大学, 2011(07)
- [7]原子力和磁力显微镜对液相基底表面金属薄膜微观结构和磁特性的研究[D]. 谢建平. 浙江大学, 2009(04)
- [8]电场作用下高密度聚乙烯/纳米石墨微片导电复合材料非线性导电行为研究[D]. 周丽春. 华侨大学, 2009(11)
- [9]楔形金薄膜系统中的反常跳跃电导和隧道效应[J]. 陶向明,夏阿根,叶高翔. 物理学报, 2004(01)
- [10]沉积在硅油表面上Au薄膜的电学性能及成膜机理[J]. 夏阿根,杨波,金进生,叶全林,陶向明,叶高翔. 真空科学与技术, 2003(04)