一、以平面工艺为核心的集成方法（论文文献综述）
曹斌华[1]（2021）在《设计基础课程的整合与重构 ——以南京艺术学院教学实验为例》文中进行了进一步梳理随着数字化设计从普及到升级到变向的发展过程,当代设计发生了突飞猛进的变化,已然超越了简单的视觉图像层面而趋向于更为综合、系统与跨界。然而,大部分院校的设计基础教学却不容乐观,年级分段式的、简单化的、被分割的单元课程学习模式,依旧涵盖于几乎所有国内院校的设计教学之中,即所谓的素描、色彩、装饰及构成等课程。由此可知,专业化与碎片化的分门别类的知识训练和当下综合性与交叉性的设计发展趋势的矛盾,已然对设计教育特别是设计基础课程方面提出了严峻的挑战。针对此问题,本文应对的方法及研究方向即是:通过课程的整合与重构,尝试建构起一种主题性、综合型的设计基础教学模式,以课题整合与作业编排为教学方法,以多种形式“语法”、“手法”、“看法”为作业途径,从而对基础教学展开反思与实验。本论文首先以包豪斯设计基础教学的整合性、多元性特质为讨论的出发点,在其课程的整体架构中反思中国自身设计教育在诸多方面过于碎片化的问题;其次,依据教育学视野和学科学理的角度讨论专业发展、现实情境以及学生条件等三方面的设计现状;再次,以整合的角度对中外国际联合教学工作坊、建筑设计以及当代艺术等相关基础教学的课题展开参照性地描述;从此,以设计基础的基本要素作为出发点揭示出以“形式”为学理取向的设计基础课程的发展方向;最后,以课程模式、课题设计、作业条件、主题切入等内容作为课程整统的要点,以此展开“整合”观念下的“物象”、“方法”、“交叉”、“专业”等四类方向的12个主题性、综合型设计教学案例的讨论,并对教学成效进行记录与分析。本文所提及的主题性教学法的核心是通过课题整合手段,将原有以技法、材料为区分的课程内容重构于主题之下,并围绕简单到复杂的系列主题教学单元展开教学活动与实践。这一教学改革旨在打破分门别类的传统课程模式,倡导教学理念回归到设计学交叉性、跨学科性的特质中,并与当下极具整合意义的设计趋向相吻合,因此,对于设计基础中新教学体系的构建具有一定的学术价值和实践意义。
蔡畅[2]（2021）在《纳米SRAM型FPGA的单粒子效应及其加固技术研究》文中指出SRAM型FPGA具有可重构与高性能的优势,已成为星载系统的核心元器件。SRAM型FPGA主要是通过配置码流来控制内部存储器、寄存器等资源的逻辑状态,在辐射环境下极易引发单粒子效应,导致电路逻辑状态和功能发生改变,威胁空间系统的在轨安全。复杂的空间任务对数据存储、运算能力的要求越来越高,需要更高性能的SRAM型FPGA满足应用需求,而这类器件对重离子辐射效应较深亚微米器件更敏感。因此,本文针对65 nm、28 nm、16 nm等关键节点的SRAM型FPGA,通过系统性的重离子单粒子效应实验和理论研究,认识重离子与该类器件相互作用的物理机制,探究纳米CMOS工艺数字集成芯片辐射响应的物理规律、加固技术的有效性、适用性、失效阈值和失效条件,为抗辐射加固设计提供依据,为航空、航天领域推进高性能、高可靠的特大规模数字集成器件应用提供数据支持。本文研究了纳米SRAM型FPGA单粒子效应的测试方法以及系统设计,分析了测试向量、测试模式、测试方法、数据解析技术等的软硬件实现过程,阐述了复杂数字集成电路单粒子效应故障诊断与数据提取的优先级选择等关键问题。在此基础上,开展了体硅和Fin FET工艺商用SRAM型FPGA在辐射环境下单粒子效应响应的物理规律探究。从器件、电路等多层面分析了高能粒子与纳米集成电路相互作用的物理机理。基于重离子加速器实验,并结合Geant4、TRIM、CREME等工具,分析了电荷扩散半径、能量与射程的离散度等参数对实验结果的影响。研究发现,不同离子引起的SRAM型FPGA内部存储模块单粒子翻转截面受离子径迹特征与能量共同影响;器件内部CRAM、BRAM、DFF等核心资源的辐射敏感性响应规律具有显着差异,但受资源配置模式的影响严重,功能配置后BRAM的翻转截面提升～10倍;SRAM型FPGA功能故障的阈值与CRAM的翻转阈值直接关联;在高精度脉冲激光辐照平台的辅助下,建立了初始激光能量与器件SBU、MBU等参量的物理关联,揭示了商用Fin FET工艺SRAM型FPGA空间应用面临的功能失效问题及存在的安全隐患;验证了采用高能重离子Al-foil降能的方式完成倒封装ULSI单粒子效应实验与机理研究具有较强的实用性与推广价值。本文针对单元级版图加固与电路级配置模式加固两种策略对纳米SRAM型FPGA抗辐射性能的提升效果、防护机理以及加固失效的物理机制等开展了系统的实验研究。单元级版图加固能减弱电荷共享效应引起的MBU等问题,器件翻转阈值由<5 Me V·cm2·mg-1提升至～18 Me V·cm2·mg-1,证明在65 nm节点采用单元级版图加固提升关键配置位的翻转阈值是可行的。配置模式加固实验揭示了ECC与TMR的组合使用对器件抗单粒子翻转能力的提升效果突出,即使采用181Ta离子辐照,65 nm标准BRAM单元的翻转截面仅为8.5×10-9 cm2·bit-1（降低了～86.3%）。28 nm SRAM型FPGA的配置加固技术研究证实,电路内部全局时钟等敏感资源的使用方式会对DFF的翻转截面造成2-10倍影响。结合CREME工具的空间粒子谱预测SRAM型FPGA在轨应用价值,证明合理运用加固策略可有效降低器件的性能损失与面积代价,而关键资源采用物理版图加固设计具有必要性和合理性。文中提出的SRAM型FPGA内部资源相互影响的规律模型对其可靠性分析具有重要意义,解析关键配置位与其他存储资源、电路功能的关联性并确定影响系数,是判断该类器件在辐射环境下是否能够可靠运行的关键。针对UTBB FDSOI工艺,结合SRAM型FPGA的电路架构与逻辑资源类型,提取多款抗辐射电路结构并开展重离子辐照实验。结果表明,互锁单元、单端口延时门、多端口延时门等加固方式对单粒子翻转阈值与截面等参数的改善效果明显,紧密DICE和分离DICE器件的翻转阈值分别为～32 Me V·cm2·mg-1和～37 Me V·cm2·mg-1。22 nm节点的瞬态脉冲扰动对器件翻转截面的影响不可忽视。此外,背偏调控对阈值电压和辐射引入的非平衡载流子收集过程有影响,±0.2 V的微弱背偏电压可引起抗辐射单元翻转截面倍数增加。考虑空间粒子在4π范围的分布规律,设计了大倾角高能重离子辐照实验,获取了部分加固电路的失效条件并分析了电离能损与能量沉积区域。相关结果与同LET低能重离子垂直辐照的实验数据存在显着差异,仅在垂直辐照条件完成单粒子实验可能存在器件抗辐射性能被高估的风险。研究发现,基于FDSOI工艺实现超强抗辐射SRAM型FPGA具有可行性,相关物理性结论可为22 nm以下节点的星载抗辐射器件的研发提供实验数据和设计依据。
滕?[3]（2021）在《MOCVD生长的长波InAs/GaSb超晶格红外探测器研究》文中提出InAs/GaSb Ⅱ类超晶格（type-Ⅱ superlattices,T2SLs）因其俄歇复合速率低、材料均匀性好和较低的制造成本等优点,非常适合制备长波红外探测器。经过几十年的发展,超晶格红外探测器目前已经取得很大进展。但是,目前报导的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器和焦平面大都是采用分子束外延（Molecular beam epitaxy,MBE）方法生长获得的。而另一方面,工业上常用的方法——金属有机化学气相沉积（Metalorganic chemical vapor deposition,MOCVD）,具有高产量、维护简单和生产配置多样等优点,更适合实现产业化。在本课题组具备可以使用MOCVD在InAs衬底上生长高质量InAs/GaSb ⅡⅡ类超晶格的基础上,本文提出了一种无铝单异质结势垒型长波红外探测器结构——PNn。通过理论计算和实验验证获得了高性能的长波红外探测器,并制备出首个MOCVD生长的长波InAs/GaSb超晶格焦平面且成功进行了成像。本文具体内容如下:1.本文提出了可以使用MOCVD生长的无铝单异质结长波红外探测器结构——PNn。其中P代表宽带隙的p型掺杂中波超晶格作为接触层,N代表宽带隙的n型掺杂中波超晶格作为势垒层,n代表n型掺杂的长波超晶格作为吸收区。在通过选择合适的势垒层掺杂和厚度时,器件的耗尽区完全降落在宽带隙的中波超晶格层中,以此降低产生-复合和隧穿暗电流,而光生电流可以正常输运,器件的量子效率并不受影响,理论上该器件可以实现扩散限性能。2.验证PNn器件结构。使用MOCVD生长了 PNn器件结构,每一层的掺杂都通过霍尔测试标定。从材料表征结果看出MOCVD生长的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格具有极高的晶体质量。在器件制备上,利用浅刻蚀工艺抑制了表面漏电。最终,在77K温度和-0.1 V偏压下,器件暗电流密度仅为2.4× 10-5 A/cm2。探测器的50%截止波长为8 μm,100%截止波长为10μm,峰值响应率在6.5μm处达到2.1A/W,量子效率为41.2%,峰值探测率为7.3×1011 cm·Hz1/2/W。该探测器性能可以与MBE生长的相近波长的器件性能相媲美。而且,该PNn器件在75 K温度以上都达到了扩散限性能。3.优化了 PNn器件性能。在制备并测试器件后发现,器件势垒层掺杂过高虽然有利于减小暗电流,但也会阻碍光生电流的输运,只有增大偏压器件才能再次正常工作;若势垒层掺杂过低,器件的耗尽区会从宽带隙的势垒层中进入窄带隙的吸收区中,导致产生-复合和隧穿电流增大;只有当势垒掺杂合适,器件的耗尽区刚好落在宽禁带的势垒层中,产生-复合和隧穿电流得到抑制,而光电流也能正常输运。最优的器件在77K温度和-0.1 V偏压条件下暗电流密度为4.5×10-4 A/cm2,动态电阻面积为399 Ω·cm2,50%截止波长为12 μm左右,器件在8 μm处响应度为1.01 A/W,对应探测率为1×1011cm·Hz1/2/W。而且,器件在10μm至12μm波长范围内探测率仍然有5×1010 cm·Hz1/2/W,展示出极高的性能。优化后的不同截止波长的PNn器件性能可以与MBE生长的含铝器件性能相媲美。4.测试了 MOCVD生长的长波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格探测器的横向扩散长度。通过制备深刻蚀PNn器件,证明了器件在80K温度以上都表现出扩散限性能,其在-0.1V偏压下暗电流密度仅为9.1×10-6A/cm2,器件50%截止波长为10.1μm。通过将浅台面刻蚀的器件共用一个吸收区后,器件的光电流和暗电流密度都表现出随器件尺寸变化的现象。从这两种方法得出扩散长度分别为211 μm和251μm,这比MBE生长的相近波长超晶格的扩散长度长很多。5.制备了首个MOCVD生长的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器,焦平面规模为320×256。在80K的工作温度和-0.1 V偏压下,焦平面测试条件设置为积分时间1.9 ms,光圈F数为2。焦平面的噪声等效温差为51.1 mK,有效像元率为96.96%,非均匀性为4.97%,平均响应率为1.0×108V/W,峰值探测率为2.3×1010 cm· Hz1/2/W。虽然该焦平面性能差于MBE生长制备的先进的焦平面性能,但证明了 MOCVD生长的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格在高质量红外成像应用上的潜力。
胡兆曦[4]（2021）在《新型纵向CMOS器件结构与特性研究》文中进行了进一步梳理集成电路飞速发展,硅基CMOS技术关键尺寸已经越来越小,被行业奉为金科玉律的“摩尔定律”面临失效的境况。身处“后摩尔时代”,芯片的发展跟随着应用的发展而前进,更新迭代越来越缓慢。现已无法再单纯依靠缩小尺寸以提高集成度。在暂时无法以其他材料完全替代硅的情况下,只能寻找其他方式实现芯片性能的进一步提高。高难度工艺和高成本是某些高性能芯片难以批量生产的重要原因。本文针对以上问题提出了一种性能优、可行性高且工艺简单的纵向结构集成电路基本单元。具体内容如下:文章首先对一些常规的CMOS技术做了介绍,其中包括传统的平面金属氧化物半导体场效应晶体管、三维立体的鳍型场效应晶体管和全包围栅极场效应晶体管的结构和某些特殊的工艺过程。然后介绍了一些具有纵向结构的晶体管,并分析了它们的优缺点。由此引出本文的核心结构——一种新型的纵向结构CMOS基本单元,该晶体管结构以常规的晶体硅作为基底,源极可以采用多种材料,如晶体硅、晶体锗和锗硅材料等。其结构特征还有:（1）源极在中央,四周环绕栅极,多面沟道导电;（2）N型器件纵向结构从上至下为:N+层源极—P层沟道—N-缓冲区—N+漏极,或者是N+层源极—N-缓冲区—P层沟道—N-缓冲区—N+漏极两种结构,而P型器件则为杂质类型刚好相反的结构;（3）既可以单个器件导电,也可以多个器件共用栅极或者共用源极导电。紧接着文章从微米级工艺的器件结构出发,给出了详尽的工艺流程设计,该设计主要从工艺的可行性和制造成本上面考虑。除了简单工艺的设计,还提出了改进的源区自对准工艺,以减小单个MOS基本单元的平面面积,进而提高集成度。然后利用Sentaurus仿真工具对器件结构进行了二维和三维的建模,并且做了包括直流特性和频率特性等一系列电学性能仿真。当沟道长度为7nm时,该器件的阈值电压约0.43V,电流开关比在105～106范围内,亚阈值摆幅为73.63 m V/dec,截止频率约5.5THz。这些电学仿真特性远好于已知的同尺寸高性能场效应晶体管。在文章结尾处,给出了以本文工艺流片为基础的版图设计,利用L-edit工具设计了六次光刻工艺的掩模版图形,版图由六种不同的晶体管平面图案构成。最后对所提出的新型纵向CMOS基本单元的应用前景做了分析。由于其优良的电学特性,该结构十分适合应用于理想开关、动态随机存取存储器和射频芯片中。
曾祥和[5]（2021）在《一种新型硅集成理想开关结构研究》文中研究指明集成电路指:通过一定的工艺步骤,在一小块载体上制作出组成电路的各种电子元器件,并根据电路设计,使用金属将元器件互联,然后封装,使其成为能够实现一定功能的微型电子器件。专用集成电路指,根据用户特定需求而设计和制造的集成电路,其中,FPGA是一种典型的专用集成电路,近年来,FPGA芯片在ASIC市场上占的比重越来越大,且还在稳步发展。虽然国内的FPGA行业也在蓬勃发展,但是无论在技术上还是市场占比上,都与国外有着非常巨大的差距,我国需要在FPGA领域有属于自己的技术,这对于集成电路技术研究和推动国家经济发展有着重要意义。本文在了解了FPGA的发展现状和工作原理的基础上,研究了大规模FPGA的低功耗技术,结合MOSFET器件向着三维多栅结构的发展方向,提出了一种用于门控电源技术的理想开关结构,先从理论上分析了其设计原理及其优势,再使用TCAD对其进行了仿真。Sentarus软件提供了大量的物理模型和数学方法,能够进行二维和三维的器件仿真,本文使用该TCAD工具,对提出的结构进行三维建模、仿真,从而探究器件的工作情况。通过控制变量法进行仿真,探究器件各结构参数的不同对器件性能的影响,从而找到优化方法对结构进行优化,以得到能够片上集成的、适用于门控电源技术的理想开关结构,其特点为,具有小的比导通电阻,具有高于IC工作电压的击穿电压以及大的开关比。仿真结果得出,优化后的晶体管可以正常工作,即可以在1.2V供电电源的电路模块中用作休眠晶体管,理论上,提供1mΩ导通电阻需要的晶体管面积为6246μm2,晶体管开关的击穿电压为3.74V,开关比达到106。
李家强[6]（2020）在《SRAM存储器抗多位翻转ECC加固设计技术研究》文中研究说明随着存储单元敏感节点临界电荷量的减少,一次粒子辐射事件可以影响更多存储单元,产生多位翻转。为了保障存储器内存储信息的安全,纠错码（Error Correction Codes,ECC）加固技术得到广泛应用。然而,随着系统集成度和多位翻转形式复杂度的不断提升,传统ECC加固方案已经不能满足当前存储器加固设计对可靠性与快速读写的性能要求。因此,有必要对存储器ECC加固设计技术展开深入的研究,解决其在冗余度、译码复杂度和修正能力方面的诸多不足。本文针对静态随机存储器（Static Random Access Memory,SRAM）抗多位翻转ECC加固设计技术中几个关键问题展开研究,主要工作包括以下几方面:（1）通用ECC奇偶校验矩阵搜索算法研究。由于矩阵搜索在特定时间内获得最优解的优化程度有限且现有矩阵搜索算法均是针对特定问题并不具备通用性,本文分别从搜索算法的搜索性能与通用性方面进行提升。首先,通过对目标矩阵进行更准确的描述与更有效的约束,规避不必要的搜索路径,加快算法对优质解的搜索。然后,通过对搜索算法中相关参数和核心环节进行通用化描述,提出一种通用ECC搜索算法。利用该算法ECC设计者仅需提供必要的设计参数便可实现ECC构造规则与目标编码矩阵的转化。基于该算法,本文实现一款自动化ECC设计工具,具有ECC矩阵搜索、修正与检测能力验证和故障注入等功能。在完成ECC构造规则制定的情况下,该工具可执行满足相应设计规则的目标矩阵搜索过程。（2）低冗余突发错误修正码加固方法研究。本文分析了ECC加固技术面积开销中冗余开销的影响,认为常用规模存储器中低冗余特性是ECC加固技术考虑的重要因素。针对更加复杂的多位翻转错误模式,单位错误修正与两位相邻错误修正（Single Error Correction and Double Adjacent Error Correction,SEC-DAEC）码和三位突发错误修正（Triple Burst Error Correction,TBEC）码已不能满足系统设计者对可靠性的要求。本文对低冗余TBEC码进行优化,在冗余度不变的情况下,实现相邻四位错误修正（Quadruple Adjacent Error Correction,QAEC）能力的扩展。同时,针对四位突发错误,给出低冗余四位突发错误修正（Quadruple Burst Error Correction,QBEC）码的构造规则,实现低冗余QBEC码的构造,其冗余位数量近似或等于最小理论值。（3）低延迟SEC-DAEC码和TBEC码加固方法研究。本文对ECC译码器各功能模块的译码过程进行了探讨,分析了各功能模块译码延迟的影响因素,总结出降低ECC译码延迟的有效途径。利用冗余位与数据位位交织结构以释放由单位阵占用的轻重量列向量,降低奇偶校验矩阵最重行1的数量;提出校正子向量共享优化技术以缩短校正子向量的匹配长度。利用这些技术构造具有低译码延迟的SEC-DAEC码和TBEC码,译码延迟开销低于或近似于单位错误修正和两位错误检测（Double Error Detecting,DED）的SEC-DED码。（4）分块逻辑位交错ECC加固方法研究。晶体管特征尺寸的缩小使得存储器多位翻转错误模式可以包含5位甚至更多相邻存储位。如何实现高修正能力并可以有效地均衡冗余度与译码复杂度将成为ECC加固技术研究的难点。本文提出基于分块逻辑位交错技术的多位突发错误ECC加固方案。利用分块逻辑位交错技术可以有效地融合矩阵码的低译码延迟特性和低冗余线性分组码的低冗余特性。通过选用一致性编码SEC-DAEC码和TBEC码,可以构造6、8和12位突发错误修正ECC加固方案。通过构造非一致性编码,可以构造5位突发错误修正ECC加固方案。构造的多位突发错误修正ECC加固方案与矩阵码相比具有低冗余优势,译码延迟低于或接近于SEC-DED码。
许佳佳[7]（2020）在《InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器制备研究》文中研究指明当探测目标的温度在近室温或更低温度时,其辐射能量的光谱分布主要处于红外长波段,此时需考虑长波红外探测技术,且长波范围8-14μm是重要的大气窗口,因此研制长波红外焦平面探测器具有重要意义。但长波探测材料带隙狭窄,制备长波红外焦平面面临的一项技术难点在于长波探测器暗电流高。InAs/GaSb Ⅱ类超晶格是一种周期性量子结构材料,具有能带灵活可调、俄歇复合寿命长、有效质量大、暗电流易抑制等特点。特别是在长波波段,II类超晶格材料均匀性好,是制备高性能长波红外焦平面的优选材料之一。本文主要围绕InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器工艺制备技术和光电性能研究展开,核心目标是降低超晶格长波红外探测器暗电流,制备出截止波长12μm的高性能大面阵长波红外焦平面探测器。主要研究内容和创新点如下:首先系统研究了氮化硅和氧化硅薄膜的生长工艺和薄膜性质。生长得到的薄膜用于InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器刻蚀时的掩蔽保护和焦平面器件台面的钝化。采用电感耦合等离子化学气相沉积（Iductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition,ICPCVD）技术生长氮化硅薄膜,薄膜性能与硅烷流量、射频功率等工艺参数相关。其中硅烷流量影响薄膜的折射率和化学键构成,RF射频功率显着影响锑化物材料上的氮化硅薄膜应力。实验最终获得了快速沉积氮化硅薄膜的优化工艺,并应用于长波超晶格器件刻蚀前的掩蔽薄膜生长,具体工艺参数为:Si H4流量45.0 sccm,N2流量38.0 sccm,ICP功率2000 W,腔体压力8.0 mtorr,温度75℃,RF功率0 W。同时获得了慢速生长氮化硅薄膜的优化工艺,薄膜的表面粗糙度低,适用于长波超晶格焦平面器件的台面钝化:Si H4流量15.5 sccm,N2流量12.5 sccm,ICP功率300 W,腔体压力8.5 mtorr,温度75℃,RF功率0 W。实验同时简要研究了在锑化物材料上ICPCVD生长氧化硅薄膜,最终用于长波超晶格焦平面器件台面钝化的氧化硅薄膜生长工艺为:硅烷流量40 sccm,N2O流量100 sccm,设备腔体工艺Presurre为8.0 mtorr,ICP功率2000 W,RF功率10 W,温度75℃。其次研究了50%截止波长为12.5μm的超晶格器件的台面蚀刻,验证了表面漏电流与超晶格台面表面的Sb相关。湿法腐蚀的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外器件,-0.05 V偏压下,60 K温度时暗电流密度为3.8×10-3 A/cm2,R0A为37.2Ω?cm2。随着温度降低,表面漏电流成为暗电流的主要部分,表面漏电流形成的机理可能是在台面表面发生了Sb2O3和Ga Sb的歧化反应,生成的半金属Sb在表面形成了漏电通道。干法刻蚀采用Cl2/N2组合的电感耦合等离子技术,在优化的刻蚀条件下,可获得优良的超晶格台面质量。其中温度是影响刻蚀结果的重要因素,随着温度升高,刻蚀速率上升,刻蚀选择比增加,台面的倾角趋于直角,器件暗电流也随着刻蚀温度提高而下降。在本论文的实验条件下,最优化的刻蚀温度是170℃,此时探测器的暗电流密度在60 K温度时为1.9×10-4 A/cm2,R0A为89.1Ω?cm2。在170 oC刻蚀时,超晶格台面表面的Ga Sb键消失,同时器件的暗电流降低,说明台面表面漏电流与与超晶格表面Ga Sb也相关。最后开展了InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外大面阵焦平面器件研制。在焦平面制备过程中发现氮化硅薄膜钝化的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面器件比氧化硅钝化的器件在小反向偏压下的暗电流低,根据文献推测氮原子可能在台面界面处与构成超晶格的原子形成了宽禁带氮化物,利于抑制窄带隙长波红外器件在表面的漏电。实验最终利用论文优化的薄膜生长、刻蚀和氮化硅钝化等工艺制备了640×512的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面器件,焦平面像元中心距30μm。焦平面器件在60 K温度下,偏压-0.05 V时,像元暗电流为9.7×10-11 A(暗电流密度为1.3×10-5 A/cm2),R0A达到838.4Ω?cm2。探测器芯片与读出电路倒焊互连成焦平面器件,在温度60 K时,焦平面的盲元率降低到了0.95%,响应率非均匀性2.8%,峰值探测率6.61×1010 cm?Hz1/2/W,噪声等效温差17.2 m K,是目前国内报道的截止波长12μm超晶格长波640×512红外焦平面的最好水平。
熊桠[8]（2020）在《《半导体：集成电路可制造性设计》（节选）翻译实践报告》文中研究表明
张卫[9]（2020）在《集成电路新工艺技术的发展趋势》文中认为描述集成电路国际主流技术的发展方向,分析集成电路先进技术的发展趋势。内容包括图形化方案、应变硅技术、超浅结技术、低 k 侧墙技术、源漏硅化物技术、自对准接触孔技术、后段低 k 铜互连技术,以及硅基光电集成技术。
张浩驰[10]（2020）在《人工表面等离激元的基本原理、器件综合及系统集成》文中研究表明在飞速发展的智能信息时代,迅速兴起的人工智能技术与第五代移动通信技术（5G技术）对基础微波器件、集成电路及各类信息系统（例如通信、雷达、成像等）提出了愈发严苛的要求。其突出的共性技术需求表现为:器件、电路与系统的小型化和可共型化;子系统间良好的信号完整性;高集成度信道间的干扰抑制能力。然而,对于传统的电磁场与微波技术而言,固有的空间导播模式、传播波长和模式互耦使得上述要求在以微带传输线（或其他常见基础传输线）为基本构型的传统器件、电路与系统中呈现出相互制约、彼此矛盾的关系,严重限制了系统性能的进一步提升。为了解决这些矛盾,本文从基本物理概念入手,寻求一类具有深亚波长电磁调控能力的波导传输结构,即人工表面等离激元传输线,并深入研究与其相关的基础理论、功能器件设计及相应的电路与系统集成技术方案,为构建基于人工表面等离激元的大规模集成电路与复杂信息系统奠定相关的理论与技术基础。为了系统性地阐述人工表面等离激元传输线的相关概念与综合技术,本文进行了如下创新性研究:1.人工表面等离激元的理论基础与分析方法。本文首先从人工表面等离激元的基本概念出发,详细阐述了人工表面等离激元的基本原理及其与传统慢波传输线之间的区别与联系。在此基础上,进一步提出了针对不同情形的两种结构色散曲线计算方法:一种是基于场路联合方式计算结构色散曲线的一般方法,适用于具有一定厚度的复杂人工表面等离激元结构;另一种是借助等效电路网络来提取人工表面等离激元色散曲线的方案,主要适用于超薄型结构。这两种方法的理论预测结果均与相关的仿真、实验具有高度一致性,从而初步建立了针对人工表面等离激元传输线的色散分析完整架构。2.人工表面等离激元特殊性能及无源器件。基于上述色散分析技术,首先构建了两种具有实际应用前景的人工表面等离激元传输线:具有低介质损耗特性的人工表面等离激元传输线;具有低串扰特性的人工表面等离激元传输线。上述传输结构与等宽的微带线之间的比较充分证明了人工表面等离激元传输线的优越性能。然后以奇模人工表面等离激元与空间波的宽角宽带转换器为例,详细阐述了人工表面等离激元在设计与综合无源器件方面的应用方法,进而证明了人工表面等离激元传输线的广阔应用前景。3.人工表面等离激元有源器件及系统。重点研究了人工表面等离激元结构与有源芯片的集成技术,并以此为基础构建了首个人工表面等离激元放大器与倍频器,展现了人工表面等离激元的强场操纵能力及其与常用半导体技术高度兼容的特性。此外,开创性地将人工表面等离激元结构与数字编码相结合,首次提出数字化可编程人工表面等离激元的概念,并以此为基础成功实现了诸如人工表面等离激元可重构带通滤波器、可编程人工表面等离激元器件、以及人工表面等离激元数字调制器等典型功能器件,为将来微波系统的信息化、数字化提供了新的可能途径。最后,在前述有源与数字化人工表面等离激元技术的基础上,首次实现了基于人工表面等离激元的无线通信系统,该系统成功完成了亚衍射极限信号的非视距传输,验证了人工表面等离激元系统相比于传统微带系统具有更优异的通信性能。
二、以平面工艺为核心的集成方法（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、以平面工艺为核心的集成方法（论文提纲范文）
（1）设计基础课程的整合与重构 ——以南京艺术学院教学实验为例（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 绪论 |
| 第一节 关于课题研究的缘由 |
| 一、艺术设计的发展与综合性、交叉性特征 |
| 二、设计基础教学瓶颈与深化实验 |
| 三、团队教学实验平台与个人实践基础 |
| 第二节 关于课题研究的目的 |
| 一、对主题性设计基础教学的意义、价值的认知 |
| 二、对主题性设计基础教学实验的整理 |
| 三、对设计基础学理的反思与知识系统的重构 |
| 第三节 关于论文的准备 |
| 一、对设计基础教学相关文献的解读 |
| 二、有关设计教学发展与现状的反思 |
| 三、论文撰写所参考的方法与思路 |
| 第一章 关于“设计基础课程”的延伸与发展 |
| 第一节 整体性与碎片化的演绎,关于包豪斯基础课的延伸 |
| 一、发端与演化:包豪斯基础课程的若干特征 |
| 二、理性与消解:乌尔姆基础课程的变向及终结 |
| 三、变革与升华:阿尔伯斯在美国的基础课程教学 |
| 四、回望与纪念:包豪斯百年主题教学工作坊 |
| 第二节 关于国外基础课程的发展 |
| 一、多元与个性:多样教学思想主导下的教学景观 |
| 二、形式与散发:美国基础课程的体系构成 |
| 三、逻辑与功能:雷曼的产品设计基础教学方法 |
| 第三节 关于中国设计基础课程的历程与现状 |
| 一、发端与缺失:绘画+图案模式 |
| 二、引进与误解:对构成教学的反思 |
| 三、程式与格局:设计素描+装饰色彩+三大构成 |
| 四、变异与修补:局部改革与片断探索 |
| 五、介入与挑战:数字化情景中的新课题 |
| 本章小结 |
| 第二章 教育学视野与学理解读中对设计基础课程的改革条件 |
| 第一节 外生性:艺术设计发展的专业氛围 |
| 一、发展认知:提升与设计功能扩展 |
| 二、数字媒体:从辅助设计到智能化设计 |
| 三、走向综合:从单一化设计到系统设计 |
| 第二节 内生性:艺术设计教育的现实情境 |
| 一、程式与单一:绝大多数院校的重复单一 |
| 二、改革实践:极少数院校的改革实践 |
| 三、工科介入:理性建构中的技术性与工具性 |
| 四、改写因素:数字化技术的普及及教学形态的渐变 |
| 第三节 原生性:艺术设计学科学生的基础条件 |
| 一、基础的标准:入学专业统考条件下的命题及应试 |
| 二、修订与确立:培养目标与课程标准的改写 |
| 三、矛盾与理想:教与学的局限与愿景 |
| 本章小结 |
| 第三章 关于主题性设计基础课程的参照与启示 |
| 第一节 知识的综合与媒介的交叉 |
| 一、侯世达:《哥德尔/埃舍尔/巴赫——集异壁之大成》 |
| 二、莫霍利·纳吉:《新视觉-绘画、雕塑、建筑、设计的基础》及教学实验 |
| 三、“透明性”:时空交错中的多维视觉设计启示 |
| 第二节 来自国际联合教学工作坊的示范 |
| 一、案例1:“笔记与思维”设计创意工作坊 |
| 二、案例2:“从绘画到设计”综合设计工作坊 |
| 三、案例3:“综合材料”绘画工作坊 |
| 四、案例4:“在障碍中行动”舞台空间工作坊 |
| 五、案例5:“二十四节气”实验艺术工作坊 |
| 第三节 来自建筑教育的参照与启示 |
| 一、现代空间模型与现代性练习设计 |
| 二、AA建筑学院中当代艺术与空间教学的交叉 |
| 三、鲁安东的建筑电影与空间认知课题 |
| 四、顾大庆的制图/构成/绘画/模型的综合课题 |
| 本章小结 |
| 第四章 关于设计基础课程的知识结构与学理取向 |
| 第一节 关于设计基础的基本要素 |
| 一、造型:从结构性造型到主题性造型 |
| 二、色彩:从自然色彩到数码色彩 |
| 三、形式:从方法主题到哲理主题 |
| 四、装饰:从经典图式到图案构成 |
| 五、材料:从真实材质到抽象质感 |
| 第二节 关于课程的知识谱系与表现要素 |
| 一、构成语法:从和谐关系到解构拼贴 |
| 二、视觉维度:从超写实描绘到超现实表现 |
| 三、形式要素:从平面表现到运动时空交错 |
| 四、媒介技法:从材料手工到声音媒体运用 |
| 五、数字媒体:从辅助手段到思维导向 |
| 第三节 关于设计基础课程的学理取向 |
| 一、对形式概念的解读与分析 |
| 二、多元形式的内涵意义与图式表现 |
| 三、“形式美”与“有意味的形式” |
| 四、形式的戏剧性展开与形式感的生成 |
| 本章小结 |
| 第五章 关于设计基础课程设计的途径与方法 |
| 第一节 关于课程模式的反思与教学结构的设计 |
| 一、关于对单元制课程体系的反思 |
| 二、关于对片断式教学实验的小结 |
| 三、关于对工作室制教学模式的参照与融汇 |
| 四、关于对主题性教学模式的参照与融汇 |
| 第二节 关于建构主题性、综合型课程结构 |
| 一、变单元设置为结构整合 |
| 二、主题切入:物象/方法/交叉/专业 |
| 三、内容整合:形式/要素/维度/媒介 |
| 第三节 关于课题设计的要素与法则 |
| 一、资源与情境:从对象到内容的认知 |
| 二、切入与转换:从主题到课题的变异 |
| 三、叙述与媒介:从视觉到形式的演绎 |
| 四、方法与游戏:从理性到趣味的改写 |
| 第四节 关于作业系列的编排与组合 |
| 一、规定性与自由性的结合 |
| 二、逻辑性与趣味性的结合 |
| 三、分析性与发散性的结合 |
| 四、单一性与交叉性的结合 |
| 本章小结 |
| 第六章 主题性与综合型设计基础教学实验(一) |
| 第一节 以“要素”为切入方式的课题设计 |
| 一、演绎方式:从正常到非正常 |
| 二、分析方式:从抽象到泛象 |
| 第二节 以“对象”为切入方式的课题设计 |
| 一、课题1:寻找与归纳,来自自然的形式 |
| 二、课题2:构成与解构,来自建筑的形式 |
| 三、课题3:观念与拼贴,来自当代艺术的形式 |
| 第三节 以“方法”为切入方式的课题设计 |
| 一、课题1:看法/关于视觉体验的方法 |
| 二、课题2:语法/关于形式分析的方法 |
| 三、课题3:手法/关于艺术表现的方法 |
| 第四节 关于综合型教学方法 |
| 一、课题与课程、教学大纲及教学 |
| 二、课题设计与作业编排的方法 |
| 三、教学研究与教案编制 |
| 四、课题作业作为教材的核心内容与体例 |
| 本章小结 |
| 第七章 主题性、综合型设计基础教学实验(二) |
| 第一节 “物象”课题与实验作业 |
| 一、自行车—对机械形态特征视觉认知多样性的体验与表达 |
| 二、芭蕉—对自然形态特征视觉认知多样性的体验与表达 |
| 三、纸—对日常材料形态特征视觉认知多样性的体验与表现 |
| 第二节 “方法”课题与实验作业 |
| 一、变体—对经典作品的研习以及方法的运用与拓展 |
| 二、拼贴—多样化形式元素的组合与重构 |
| 三、分形—隐藏秩序的发现与操作 |
| 第三节 “交叉”课题与实验作业 |
| 一、建筑—抽象视觉要素与空间构成的综合 |
| 二、音乐—视听转化与表现性的形式演绎 |
| 三、园林—传统图式的表达与时空构造的演绎 |
| 第四节 “专业”课题与实验作业 |
| 一、服装—从身体的观念到形式的媒介 |
| 二、装置—从空间解读到材料象征 |
| 三、迷宫—从二维图形到三维空间 |
| 本章小结 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（2）纳米SRAM型FPGA的单粒子效应及其加固技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 空间辐射环境与辐射效应简介 |
| 1.2 单粒子效应及其表征分析方法 |
| 1.2.1 单粒子效应物理机制 |
| 1.2.2 单粒子效应的主要类型 |
| 1.2.3 单粒子效应核心参数 |
| 1.2.4 单粒子效应实验方法 |
| 1.2.5 单粒子效应的数值仿真技术 |
| 1.3 SRAM型 FPGA的发展现状 |
| 1.4 典型 SRAM型 FPGA的资源架构 |
| 1.4.1 可配置逻辑块 |
| 1.4.2 互连与布线资源 |
| 1.4.3 可编程的输入输出单元 |
| 1.4.4 其他资源 |
| 1.5 SRAM型 FPGA的单粒子效应研究现状 |
| 1.5.1 SRAM型 FPGA单粒子效应基本介绍 |
| 1.5.2 晶体管密度对SRAM型 FPGA单粒子效应的影响 |
| 1.5.3 晶体管工作参数对SRAM型 FPGA单粒子效应的影响 |
| 1.5.4 SRAM型 FPGA单粒子效应加固技术面临的挑战 |
| 1.6 论文的研究内容与目标 |
| 第2章 SRAM型 FPGA单粒子效应测试方法与实验技术 |
| 2.1 本章引论 |
| 2.2 单粒子效应测试方法与流程 |
| 2.2.1 单粒子闩锁的监测与防护 |
| 2.2.2 单粒子功能中断测试 |
| 2.2.3 单粒子翻转的测试 |
| 2.3 单粒子效应测试系统硬件模块 |
| 2.4 单粒子效应测试系统软件模块 |
| 2.5 单粒子效应实验测试向量的设计 |
| 2.6 单粒子效应测试系统功能验证 |
| 2.7 重离子单粒子效应辐照实验 |
| 2.8 本章小结 |
| 第3章 纳米级商用SRAM型 FPGA单粒子效应实验 |
| 3.1 本章引论 |
| 3.2 器件选型与参数信息 |
| 3.3 实验向量设计 |
| 3.4 辐照实验条件与参数设计 |
| 3.4.1 重离子辐照条件与参数计算 |
| 3.4.2 脉冲激光辐照条件与参数 |
| 3.5 单粒子效应数据结果 |
| 3.5.1 相同工艺不同结构BRAM与 CRAM的实验结果 |
| 3.5.2 相同工艺不同结构DFF的实验结果 |
| 3.5.3 测试参量依赖性的实验结果 |
| 3.5.4 FinFET工艺器件的实验研究 |
| 3.6 分析与讨论 |
| 3.6.1 存储单元单粒子翻转机理讨论 |
| 3.6.2 测试技术与结果 |
| 3.7 本章小结 |
| 第4章 纳米SRAM型 FPGA单粒子效应加固技术研究 |
| 4.1 本章引论 |
| 4.2 单元级版图加固的SRAM型 FPGA |
| 4.3 电路级配置模式加固的SRAM型 FPGA |
| 4.3.1 电路级配置模式加固的BRAM |
| 4.3.2 电路级配置模式加固的DFF |
| 4.4 加固单元与电路的重离子实验设计 |
| 4.5 单元级版图加固效果的实验研究 |
| 4.5.1 单元级版图加固对SEU的影响 |
| 4.5.2 单元级版图加固对SEFI的影响 |
| 4.6 电路级配置模式加固效果的实验研究 |
| 4.6.1 配置模式加固的BRAM |
| 4.6.2 配置加固的DFF |
| 4.7 加固效果及适用性讨论 |
| 4.7.1 单元级版图加固的效果及适用性 |
| 4.7.2 电路级配置模式加固的效果及适用性 |
| 4.8 本章小结 |
| 第5章 在轨翻转率及空间应用 |
| 5.1 本章引言 |
| 5.2 空间翻转率预估流程 |
| 5.3 重离子引起的空间翻转率预估 |
| 5.4 降低小尺寸SRAM型 FPGA空间翻转率的方法研究 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 FDSOI工艺抗辐射电路及其应用 |
| 6.1 本章引言 |
| 6.1.1 提升纳米SRAM型 FPGA抗单粒子效应能力的主要途径 |
| 6.1.2 抗辐射SRAM型 FPGA涉及的单元与电路类型 |
| 6.1.3 纳米FDSOI工艺器件单粒子效应研究现状 |
| 6.1.4 本章研究内容 |
| 6.2 22 nm UTBB FDSOI器件 |
| 6.3 基于22 nm FDSOI工艺的DFF测试电路 |
| 6.4 基于22 nm FDSOI工艺的抗辐射SRAM |
| 6.5 FDSOI测试样片的单粒子效应实验设计 |
| 6.5.1 测试样片的实验向量设计 |
| 6.5.2 单粒子效应实验参数与条件 |
| 6.6 FDSOI DFF单粒子效应实验结果 |
| 6.6.1 FDSOI DFF单粒子翻转截面 |
| 6.6.2 测试频率对DFF单粒子翻转的影响 |
| 6.6.3 数据类型对DFF单粒子翻转的影响 |
| 6.6.4 背偏电压对DFF单粒子翻转的影响 |
| 6.6.5 DFF中单粒子翻转类型统计 |
| 6.7 FDSOI SRAM单粒子效应实验结果 |
| 6.7.1 FDSOI SRAM单粒子翻转特征 |
| 6.7.2 测试应力对SRAM单粒子翻转的影响 |
| 6.7.3 FDSOI SRAM单粒子翻转位图 |
| 6.8 FDSOI的抗辐射电路加固效果讨论 |
| 6.8.1 FDSOI DFF抗辐射加固效果 |
| 6.8.2 FDSOI SRAM抗辐射加固效果 |
| 6.9 影响22 nm FDSOI器件单粒子效应敏感性的关键参量 |
| 6.10 本章小结 |
| 第7章 总结与展望 |
| 7.1 主要结论 |
| 7.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 附录 主要缩写对照表 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（3）MOCVD生长的长波InAs/GaSb超晶格红外探测器研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 红外辐射 |
| 1.2 长波红外探测器 |
| 1.2.1 碲镉汞探测器 |
| 1.2.2 量子阱探测器 |
| 1.2.3 锑化物超晶格探测器 |
| 1.3 红外探测器工作原理 |
| 1.4 锑化物超晶格红外探测器研究进展 |
| 1.4.1 国外长波红外探测器研究进展 |
| 1.4.2 国内长波红外探测器研究进展 |
| 1.4.3 MOCVD生长制备的超晶格红外探测器研究现状 |
| 1.5 本论文的研究目的和内容构成 |
| 第2章 超晶格材料和探测器性能表征 |
| 2.1 InAs/GaSb超晶格外延技术 |
| 2.2 超晶格材料表征 |
| 2.2.1 高分辨X射线衍射 |
| 2.2.2 光致发光光谱 |
| 2.2.3 原子力显微镜 |
| 2.2.4 霍尔测试 |
| 2.3 探测器制备中常用的工艺 |
| 2.3.1 霍尔样品制备 |
| 2.3.2 单元器件制备工艺 |
| 2.3.3 焦平面制备工艺 |
| 2.4 器件性能表征 |
| 2.4.1 单元器件性能表征 |
| 2.4.2 焦平面性能表征 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 无铝单异质结探测器结构——PNn的验证 |
| 3.1 PNn器件结构的提出 |
| 3.2 PNn器件结构计算 |
| 3.3 PNn器件结构的生长 |
| 3.4 浅台面工艺对PNn器件性能影响 |
| 3.5 PNn器件的光电性能 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 PNn器件优化 |
| 4.1 器件优化简介 |
| 4.1.1 PNn器件结构优化背景介绍 |
| 4.1.2 本章主要研究内容 |
| 4.2 PNn器件优化 |
| 4.2.1 InAs/GaSb超晶格能带计算 |
| 4.2.2 不同势垒层掺杂的PNn结构能带计算 |
| 4.2.3 不同势垒层掺杂的PNn器件材料生长、表征和器件制备 |
| 4.2.4 不同势垒层掺杂对PNn器件光电性能影响 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 InAs/GaSb超晶格横向扩散长度标定 |
| 5.1 研究介绍 |
| 5.1.1 载流子纵向和横向扩散长度 |
| 5.1.2 本章主要研究内容 |
| 5.2 扩散限器件制备 |
| 5.2.1 材料生长和工艺制备 |
| 5.2.2 扩散限器件证明 |
| 5.3 扩散长度测量的版图设计 |
| 5.4 扩散长度的测量 |
| 5.4.1 光响应拟合扩散长度 |
| 5.4.2 暗电流拟合扩散长度 |
| 5.4.3 扩散长度的讨论 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 InAs/GaSb超晶格长波红外探测器焦平面 |
| 6.1 材料生长和表征 |
| 6.2 InAs/GaSb超晶格单元探测器 |
| 6.3 InAs/GaSb超晶格焦平面 |
| 6.3.1 焦平面制备 |
| 6.3.2 焦平面性能 |
| 6.4 本章小结 |
| 第7章 结论与展望 |
| 7.1 工作总结 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（4）新型纵向CMOS器件结构与特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 CMOS集成电路的国内外研究历史与现状 |
| 1.2.1 MOSFET的发明和CMOS技术的提出 |
| 1.2.2 Fin FET的提出和发展 |
| 1.2.3 GAAFET的提出和CMOS技术的现状 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 |
| 1.4 本论文的结构安排 |
| 第二章 已有技术与工艺方法介绍 |
| 2.1 传统CMOS结构与工艺制造流程 |
| 2.1.1 传统平面CMOS 结构和纵向MOS 结构 |
| 2.1.2 CMOS标准制造流程 |
| 2.1.3 CMOS技术常用工艺方法 |
| 2.2 Fin FET的特征与现有工艺 |
| 2.2.1 Fin FET的结构特征 |
| 2.2.2 多重图像成像技术 |
| 2.3 GAAFET特征与现有工艺 |
| 2.3.1 横向GAAFET的结构特征 |
| 2.3.2 纵向GAAFET的结构特征 |
| 2.3.3 GAAFET主要工艺流程和特殊工艺方法 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 新型CMOS器件结构与工艺方法 |
| 3.1 新型MOS集成电路基本单元的结构 |
| 3.2 新型器件的结构特点与优势 |
| 3.2.1 半导体异质结与高电子迁移率晶体管(HEMT) |
| 3.2.2 新型MOS基本单元的结构特点及其优势 |
| 3.3 实现方法与自对准工艺 |
| 3.3.1 利用CMOS工艺的实现方法设计 |
| 3.3.2 提升集成度的自对准工艺 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 器件仿真与电学特性分析 |
| 4.1 仿真环境介绍 |
| 4.2 仿真模型的建模 |
| 4.2.1 二维模型的建立 |
| 4.2.2 三维模型的建立 |
| 4.3 仿真参数的定义与计算 |
| 4.3.1 阈值电压的定义 |
| 4.3.2 压控能力参数(开关比与亚阈值摆幅)的定义 |
| 4.3.3 截止频率的定义 |
| 4.4 仿真结果与直流特性分析 |
| 4.4.1 二维模型的转移特性与输出特性 |
| 4.4.2 三维模型的转移特性与输出特性 |
| 4.4.3 阈值电压受影响因素研究 |
| 4.5 仿真结果与频率特性分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 新型器件的版图设计与应用前景 |
| 5.1 版图设计工具介绍 |
| 5.2 微米级尺寸工艺的器件版图设计 |
| 5.2.1 纵向NMOS器件的光刻层级设置 |
| 5.2.2 单个环栅垂直沟道NMOS器件的版图 |
| 5.2.3 栅极居中的四面导电纵向NMOS器件的版图 |
| 5.2.4 多个并排纵向NMOS器件的共栅极版图设计 |
| 5.3 新型纵向MOS基本单元的应用前景 |
| 5.3.1 作为理想开关的应用 |
| 5.3.2 作为随机存取存储器件的应用 |
| 5.3.3 在射频芯片中的应用 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 全文工作总结 |
| 6.2 研究过程中的问题与不足 |
| 6.3 未来的展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（5）一种新型硅集成理想开关结构研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 国内外研究历史与现状 |
| 1.2.1 FPGA的发展 |
| 1.2.2 低功耗技术的发展 |
| 1.2.3 MOSFET器件发展 |
| 1.2.4 功率MOSFET器件发展 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 |
| 1.4 本论文的结构安排 |
| 第二章 门控电源技术及MOSFET开关基础知识 |
| 2.1 FPGA结构及工作原理 |
| 2.2 门控电源技术 |
| 2.3 功率MOSFET开关器件基础知识 |
| 2.3.1 功率MOSFET结构 |
| 2.3.2 击穿电压 |
| 2.3.3 导通电阻 |
| 2.4 多栅器件 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 新型硅集成理想开关结构设计及特性研究 |
| 3.1 新型硅集成理想开关结构设计 |
| 3.2 新型硅集成理想开关结构特性研究 |
| 3.2.1 击穿电压 |
| 3.2.2 导通电阻 |
| 3.2.3 电容特性 |
| 3.3 新型硅集成理想开关结构工艺实现方法 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 新型硅集成理想开关结构特性仿真 |
| 4.1 TCAD仿真工具介绍 |
| 4.2 建立器件模型 |
| 4.3 器件基本电学特性仿真 |
| 4.4 影响击穿电压的因素探究 |
| 4.4.1 栅极数量对击穿电压的影响 |
| 4.4.2 槽深对击穿电压的影响 |
| 4.4.3 漂移区浓度对击穿电压的影响 |
| 4.4.4 漂移区长度对击穿电压的影响 |
| 4.5 影响比导通电阻的因素探究 |
| 4.5.1 λ的改变对比导通电阻的影响 |
| 4.5.2 沟道长度的改变对比导通电阻的影响 |
| 4.5.3 槽深对比导通电阻的影响 |
| 4.5.4 漂移区浓度对比导通电阻的影响 |
| 4.5.5 漂移区长度对比导通电阻的影响 |
| 4.6 总结与优化 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 工作总结与展望 |
| 5.1 全文工作总结 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 在学期间取得的与学位论文相关的研究成果 |
（6）SRAM存储器抗多位翻转ECC加固设计技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究意义 |
| 1.2 SRAM存储器中单粒子翻转 |
| 1.2.1 MCU影响因素 |
| 1.2.2 MBU错误图样 |
| 1.3 SRAM存储器ECC加固技术研究现状 |
| 1.3.1 随机错误ECC加固技术研究现状 |
| 1.3.2 连续错误ECC加固技术研究现状 |
| 1.4 相关研究工作评述 |
| 1.5 论文主要研究内容 |
| 第2章 通用ECC奇偶校验矩阵搜索算法研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 线性分组码原理 |
| 2.2.1 线性分组码编码原理 |
| 2.2.2 线性分组码译码原理 |
| 2.3 奇偶校验矩阵搜索算法 |
| 2.3.1 基本搜索算法 |
| 2.3.2 基本搜索算法优化 |
| 2.4 通用ECC搜索算法 |
| 2.4.1 参数通用化描述 |
| 2.4.2 校正子向量唯一性判断通用化描述 |
| 2.4.3 ECC搜索算法通用化 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 低冗余突发错误修正码加固方法研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 ECC冗余开销影响分析 |
| 3.3 TBEC-QAEC码构造方法 |
| 3.3.1 校正子向量需求分析 |
| 3.3.2 校正子向量唯一性分析 |
| 3.3.3 奇偶校验矩阵搜索 |
| 3.3.4 编译码过程及电路设计 |
| 3.3.5 功能验证与性能分析 |
| 3.4 低冗余QBEC码构造方法 |
| 3.4.1 校正子向量需求分析 |
| 3.4.2 校正子向量唯一性分析 |
| 3.4.3 奇偶校验矩阵搜索 |
| 3.4.4 编译码电路设计 |
| 3.4.5 功能验证与性能分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 低延迟DAEC码和TBEC码加固方法研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 ECC译码器延迟开销分析 |
| 4.3 低延迟SEC-DAEC码构造方法 |
| 4.3.1 SEC-DAEC码构造规则 |
| 4.3.2 冗余位与数据位位交织 |
| 4.3.3 校正子向量共享优化 |
| 4.3.4 奇偶校验矩阵搜索算法 |
| 4.3.5 电路实现及性能分析 |
| 4.4 低延迟TBEC码构造方法 |
| 4.4.1 系统结构TBEC码优化分析 |
| 4.4.2 位交织结构TBEC码构造 |
| 4.4.3 性能分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 分块逻辑位交错ECC加固方法研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 ECC冗余度、译码复杂度和修正能力综合分析 |
| 5.3 分块逻辑位交错技术研究 |
| 5.4 基于一致性编码的突发错误修正ECC方案 |
| 5.4.1 构造方法 |
| 5.4.2 电路实现 |
| 5.4.3 方案有效性评估 |
| 5.4.4 性能分析 |
| 5.5 基于非一致性编码的突发错误修正ECC方案 |
| 5.5.1 构造方法 |
| 5.5.2 电路实现 |
| 5.5.3 性能分析 |
| 5.6 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其他成果 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
| 附录:缩略语表 |
（7）InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器制备研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 红外辐射 |
| 1.2 红外探测器 |
| 1.2.1 红外探测器的发展 |
| 1.2.2 红外探测器按探测波长分类 |
| 1.2.3 红外探测器按材料技术类型分类 |
| 1.3 锑化物超晶格红外探测器 |
| 1.3.1 基本概念和性质 |
| 1.3.2 Ⅱ类超晶格红外探测器在国内外的发展 |
| 1.3.3 Ⅱ类超晶格长波红外探测器的技术特点和难点 |
| 1.4 本论文的研究目的和内容构成 |
| 第2章 超晶格材料生长和器件工艺及表征方法 |
| 2.1 材料生长和表征 |
| 2.1.1 分子束外延 |
| 2.1.2 外延材料表征 |
| 2.2 InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波器件工艺 |
| 2.2.1 介质薄膜生长 |
| 2.2.1.1 薄膜生长技术发展 |
| 2.2.1.2 ICPCVD法生长薄膜 |
| 2.2.2 器件台面蚀刻 |
| 2.2.2.1 湿化学腐蚀 |
| 2.2.2.2 反应离子刻蚀 |
| 2.2.3 器件台面钝化 |
| 2.2.3.1 硫钝化和ALD钝化 |
| 2.2.3.2 介质薄膜钝化 |
| 2.3 测试和表征技术 |
| 2.3.1 测试和表征设备及原理 |
| 2.3.2 红外焦平面测试系统 |
| 2.4 计算分析 |
| 2.4.1 暗电流计算分析 |
| 2.4.2 红外焦平面测试分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 ICPCVD生长介质薄膜研究 |
| 3.1 ICPCVD生长氮化硅介质薄膜 |
| 3.1.1 硅和砷化镓衬底上氮化硅薄膜生长 |
| 3.1.1.1 硅烷流量对氮化硅薄膜的影响 |
| 3.1.1.2 RF功率对氮化硅薄膜的影响 |
| 3.1.1.3 ICP功率对氮化硅薄膜的影响 |
| 3.1.2 锑化镓衬底上氮化硅薄膜生长 |
| 3.1.2.1 硅烷流量对氮化硅薄膜的影响 |
| 3.1.2.2 RF功率对氮化硅薄膜的影响 |
| 3.1.2.3 ICP功率对氮化硅薄膜的影响 |
| 3.2 ICPCVD生长氧化硅介质薄膜 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 长波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面蚀刻 |
| 4.1 长波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料生长 |
| 4.1.1 外延材料结构 |
| 4.1.2 外延材料生长 |
| 4.1.3 外延材料表征 |
| 4.2 长波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面腐蚀 |
| 4.2.1 湿法腐蚀过程对台面的影响 |
| 4.2.2 湿法腐蚀对器件电学性能的影响 |
| 4.3 长波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面刻蚀 |
| 4.3.1 ICP气体流量对刻蚀结果的影响 |
| 4.3.2 ICP温度对刻蚀结果的影响 |
| 4.3.3 ICP功率对刻蚀结果的影响 |
| 4.3.4 ICP刻蚀对器件电学性能的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面制备和性能测试 |
| 5.1 长波超晶格红外焦平面器件制备 |
| 5.1.1 焦平面器件制备工艺 |
| 5.1.2 焦平面器件光电性能测试 |
| 5.2 长波超晶格红外焦平面测试 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 |
（9）集成电路新工艺技术的发展趋势（论文提纲范文）
| 1 图形化方案 |
| 2 应变硅技术 |
| 2.1 SMT 应力记忆技术 |
| 2.2 CESL 刻蚀终止层应力技术 |
| 2.3 SiGe 和 SiC 应力技术 |
| 2.4 全局应力技术 |
| 3 超浅结技术 |
| 4 低 k 侧墙技术 |
| 5 源漏硅化物技术 |
| 5.1 钴硅化物 CoSi2 |
| 5.2 镍硅化物 NiSi |
| 5.3 钛硅化物 TiSi2 |
| 6 自对准接触孔技术 |
| 7 后段低 k 铜互连技术 |
| 7.1 低 k 介质 |
| 7.2 铜扩散阻挡层和黏附层的选择 |
| 8 硅基光电集成 |
| 9 结语 |
（10）人工表面等离激元的基本原理、器件综合及系统集成（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 相关领域研究现状 |
| 1.3 论文主要研究内容及创新点 |
| 1.3.1 论文主要工作和章节安排 |
| 1.3.2 论文主要贡献和创新点 |
| 参考文献 |
| 第二章 人工表面等离激元的理论基础与分析方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 人工表面等离激元的概念与理论基础 |
| 2.2.1 表面等离激元简介 |
| 2.2.2 人工表面等离激元模式的定义 |
| 2.2.3 基于结构色散曲线的定量判别法 |
| 2.3 人工表面等离激元结构色散分析方法 |
| 2.3.1 人工表面等离激元近场测试方法 |
| 2.3.2 场路联合方法 |
| 2.3.3 等效电路拓扑法 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 人工表面等离激元的特殊性能及无源器件 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 解决传输性能对板材的依赖性 |
| 3.3 解决电磁信号干扰与小型化之间的矛盾 |
| 3.4 奇模人工表面等离激元到自由空间波的宽角宽带转换器设计 |
| 3.4.1 奇模人工表面等离激元的色散特性与场分布 |
| 3.4.2 过渡结构设计 |
| 3.4.3 仿真与实验证明 |
| 3.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 人工表面等离激元有源器件及系统 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 基于人工表面等离激元的有源器件 |
| 4.2.1 人工表面等离激元放大器 |
| 4.2.2 人工表面等离激元倍频器 |
| 4.3 数字化人工表面等离激元可编程系统 |
| 4.3.1 基于人工表面等离激元的可重构带通滤波器 |
| 4.3.2 可编程人工表面等离激元器件 |
| 4.3.3 人工表面等离激元数字调制器 |
| 4.3.4 基于人工表面等离激元的无线通信系统 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 总结与展望 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
四、以平面工艺为核心的集成方法（论文参考文献）
- [1]设计基础课程的整合与重构 ——以南京艺术学院教学实验为例[D]. 曹斌华. 南京艺术学院, 2021(12)
- [2]纳米SRAM型FPGA的单粒子效应及其加固技术研究[D]. 蔡畅. 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2021(01)
- [3]MOCVD生长的长波InAs/GaSb超晶格红外探测器研究[D]. 滕?. 中国科学技术大学, 2021(09)
- [4]新型纵向CMOS器件结构与特性研究[D]. 胡兆曦. 电子科技大学, 2021(01)
- [5]一种新型硅集成理想开关结构研究[D]. 曾祥和. 电子科技大学, 2021(01)
- [6]SRAM存储器抗多位翻转ECC加固设计技术研究[D]. 李家强. 哈尔滨工业大学, 2020(01)
- [7]InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器制备研究[D]. 许佳佳. 中国科学院大学(中国科学院上海技术物理研究所), 2020(03)
- [8]《半导体：集成电路可制造性设计》（节选）翻译实践报告[D]. 熊桠. 广东工业大学, 2020
- [9]集成电路新工艺技术的发展趋势[J]. 张卫. 集成电路应用, 2020(04)
- [10]人工表面等离激元的基本原理、器件综合及系统集成[D]. 张浩驰. 东南大学, 2020(01)